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ST STD110N8F6 48HRS

N-Channel 80 V 80A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount DPAK

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics, Inc

Herstellerteil #: STD110N8F6

Datenblatt: STD110N8F6 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: DPAK

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3.355 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,879 $0,879
10 $0,740 $7,400
30 $0,663 $19,890
100 $0,577 $57,700
500 $0,538 $269,000
1000 $0,519 $519,000

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STD110N8F6 Allgemeine Beschreibung

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.

Funktionen

  • Very low on-resistance
  • Very low gate charge
  • High avalanche ruggedness
  • Low gate drive power loss

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-252-3
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Id - Continuous Drain Current: 80 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 6.5 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 150 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 167 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Tradename: STripFET
Packaging: Reel Height: 2.4 mm
Length: 10.1 mm Product: Power MOSFET
Series: STD110N8F6 Transistor Type: 1 N-Channel
Type: STripFET Width: 6.6 mm
Brand: STMicroelectronics Fall Time: 48 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 61 ns
Factory Pack Quantity: 2500 Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 162 ns Typical Turn-On Delay Time: 24 ns
Unit Weight: 0.139332 oz Tags STD110N, STD110, STD11, STD1, STD
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 3 feature-supplier-package DPAK
feature-standard-package-name1 TO-252 feature-cecc-qualified No
feature-esd-protection feature-escc-qualified
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The STD110N8F6 chip is a power MOSFET transistor designed for high-performance applications. It offers a low on-resistance and high power density, making it suitable for various power conversion systems. With a voltage rating of 80V and a current rating of 110A, this chip is commonly used in electronic devices that require efficient power management and control.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the STD110N8F6 chip are STD110N8F7, STD110N8F4, and STD110N8F5.
  • Features

    The STD110N8F6 is a Power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 80 volts and a continuous drain current of 110 amperes. It offers a low on-resistance of 8.6 milliohms and is suitable for high-power applications such as motor control, SMPS, and DC-DC converters.
  • Pinout

    The STD110N8F6 has a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET transistor used for switching applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the STD110N8F6 is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company.
  • Application Field

    The STD110N8F6 is a power MOSFET primarily used in applications such as power supplies, motor control, and low voltage lighting. Its low on-resistance, high current rating, and excellent thermal performance make it suitable for various high power applications requiring efficient power switching and amplification.
  • Package

    The STD110N8F6 chip belongs to the PowerFLAT 3.3x3.3-8 package type, which is a small, compact package. It has a size of 3.3 x 3.3 mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation STD110N8F6 PDF Herunterladen

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