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$5000ST STU7N60DM2
N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Marken: STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #: STU7N60DM2
Datenblatt: STU7N60DM2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: IPAK
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.063 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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STU7N60DM2 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-251-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 25 V, + 25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.25 V | Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 60 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | MDmesh | Series: | STU7N60DM2 |
Packaging: | Tube | Brand: | STMicroelectronics |
Configuration: | Single | Product Type: | MOSFET |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Unit Weight: | 0.011993 oz |
Versand
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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