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$5000Microchip VN2210N2
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Marken: Microchip
Herstellerteil #: VN2210N2
Datenblatt: VN2210N2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-39-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $15,089 | $15,089 |
200 | $5,839 | $1167,800 |
500 | $5,635 | $2817,500 |
1000 | $5,533 | $5533,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
VN2210N2 Allgemeine Beschreibung
Built with a vertical DMOS structure and a silicon-gate manufacturing process, the VN2210N2 transistor delivers unrivaled performance in power handling and input impedance. This enhancement-mode device boasts the characteristics of both bipolar transistors and MOS devices, providing a unique blend of high breakdown voltage, low input capacitance, and fast switching speeds. Its low threshold voltage and positive temperature coefficient make it a versatile option for applications where reliability is paramount. Whether used for amplifying or switching purposes, this transistor offers a solution that is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown
Funktionen
- High frequency and high accuracy
- Safe operating area and thermal shutdown
- Low EMI and RFI sensitivity
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Microchip | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-39-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V | Qg - Gate Charge: | - |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 6 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Bulk | Brand: | Microchip Technology |
Configuration: | Single | Fall Time: | 30 ns |
Height: | 6.6 mm | Length: | 9.4 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 10 ns |
Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Type: | FET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Width: | 9.4 mm |
Versand
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