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Microchip VN2210N2 48HRS

N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Microchip

Herstellerteil #: VN2210N2

Datenblatt: VN2210N2 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-39-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $15,089 $15,089
200 $5,839 $1167,800
500 $5,635 $2817,500
1000 $5,533 $5533,000

Auf Lager: 9.458 Stck

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VN2210N2 Allgemeine Beschreibung

Built with a vertical DMOS structure and a silicon-gate manufacturing process, the VN2210N2 transistor delivers unrivaled performance in power handling and input impedance. This enhancement-mode device boasts the characteristics of both bipolar transistors and MOS devices, providing a unique blend of high breakdown voltage, low input capacitance, and fast switching speeds. Its low threshold voltage and positive temperature coefficient make it a versatile option for applications where reliability is paramount. Whether used for amplifying or switching purposes, this transistor offers a solution that is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown

Funktionen

    • High frequency and high accuracy
    • Safe operating area and thermal shutdown
    • Low EMI and RFI sensitivity

    Anwendung

    SWITCHING
    Microchip Inventory

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Manufacturer: Microchip Product Category: MOSFET
    RoHS: Details Technology: Si
    Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-39-3
    Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 1.7 A
    Rds On - Drain-Source Resistance: 350 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.4 V Qg - Gate Charge: -
    Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
    Pd - Power Dissipation: 6 W Channel Mode: Enhancement
    Packaging: Bulk Brand: Microchip Technology
    Configuration: Single Fall Time: 30 ns
    Height: 6.6 mm Length: 9.4 mm
    Product Type: MOSFET Rise Time: 10 ns
    Factory Pack Quantity: 500 Subcategory: MOSFETs
    Transistor Type: 1 N-Channel Type: FET
    Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
    Width: 9.4 mm

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

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    Schritt4 :Individuelle Verpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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