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Microchip APT10M07JVFR
APT10M07JVFR FREDFET MOS5 Discrete Semiconductor Module: With a 100V voltage tolerance and a mere 7 mOhm on-resistance
Marken: Microchip
Herstellerteil #: APT10M07JVFR
Datenblatt: APT10M07JVFR Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $75,167 | $75,167 |
| 200 | $29,090 | $5818,000 |
| 500 | $28,067 | $14033,500 |
| 1000 | $27,562 | $27562,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
APT10M07JVFR Allgemeine Beschreibung
With its cutting-edge design and innovative features, the APT10M07JVFR Power MOS V® sets a new standard for performance and cost-effectiveness in MOSFET technology. The utilization of a low resistance aluminum metal gate structure provides unparalleled gate signal propagation, outperforming traditional polysilicon gate structures. This design results in significantly reduced internal chip equivalent gate resistances (EGR), offering up to ten times better performance compared to other devices on the market. In addition, the MOSFET is available with versatile body diode options, including both MOSFET and FREDFET versions, ensuring compatibility with a wide range of applications
Funktionen
- Pulse power and signal integrity
- Ultra-fast switching and robust operation
- High-speed amplifiers for RF applications
- Low-noise transmitters for wireless communications
- Advanced plasma processing technology
- Rapid pulse generation for industrial applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | MOSFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Packaging: | Tube |
| Brand: | Microchip Technology | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 20 ns | Id - Continuous Drain Current: | 225 A |
| Operating Supply Voltage: | 500 mV | Pd - Power Dissipation: | 700 W |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Rise Time: | 60 ns | Factory Pack Quantity: | 1 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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