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Microchip APT25M100J
This is a power MOSFET characterized by its N-channel configuration, rated for operation at voltages up to 1000 volts and currents up to 25 amps
Marken: Microchip
Herstellerteil #: APT25M100J
Datenblatt: APT25M100J Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: ISOTOP®
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $91,547 | $91,547 |
| 200 | $36,528 | $7305,600 |
| 500 | $35,308 | $17654,000 |
| 1000 | $34,705 | $34705,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
APT25M100J Allgemeine Beschreibung
Additionally, MOSFETs and FREDFETs in the APT25M100J series are available with different body diode options, including the faster recovery intrinsic body diode found in FREDFETs. This feature enhances reliability in ZVS circuits by reducing minority carrier lifetime and increasing commutation dv/dt ruggedness. For applications where a fast recovery body diode is not necessary, MOSFET versions are also available, catering to diverse needs in the realm of power electronics
Funktionen
- Unique quality
- Precise measurement
- Saving energy
Anwendung
- Pushing boundaries
- Igniting potential
- Revolutionizing industries
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Technology: | Si | Packaging: | Tube |
| Brand: | Microchip Technology | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Unit Weight: | 1.030000 oz |
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The APT25M100J is a power amplifier transistor designed for use in high-power RF applications. It operates at a frequency range of 2.5 – 2.7 GHz and provides a power output of 100 watts. With high efficiency and linearity, this chip is ideal for applications in radar systems, communication networks, and other high-frequency devices.
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Equivalent
The equivalent products of APT25M100J chip are the TI SN74AHC1G08, Nexperia 74AHC1G08, and STMicroelectronics 74AHC1G08. These are single 2-input AND gate logic ICs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
- APT25M100J is a high-power microwave transistor - It operates at a frequency of 2.5 GHz - It has a maximum power output of 100W - It is designed for use in high-frequency applications such as radar, wireless communications, and industrial heating - It has a compact and lightweight design for easy integration into various systems. -
Pinout
APT25M100J is a Power MOSFET with a TO-247 package. It has a pin count of 3, which includes the gate, drain, and source pins. The device is designed for high power applications and can handle a continuous drain current of 200A. -
Manufacturer
APT25M100J is manufactured by APT (Advanced Power Technology), a semiconductor company that specializes in designing and manufacturing power MOSFETs and IGBTs for various industries including automotive, industrial, and renewable energy. They are known for providing high-performance and reliable power semiconductor solutions to their customers worldwide. -
Application Field
The APT25M100J is commonly used in applications such as high-frequency communication systems, radar systems, satellite communications, and microwave power amplifiers due to its high power handling capacity, low insertion loss, and excellent linearity. -
Package
The APT25M100J chip is a power MOSFET transistor with TO-247 package type. It comes in a single unit with a form factor of a through-hole component. The size of the chip is approximately 15mm x 10mm x 4mm.
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