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$5000Microchip APT30M75BLLG
MOSFET FG, MOSFET, 300V, TO-247, RoHS
Marken: Microchip
Herstellerteil #: APT30M75BLLG
Datenblatt: APT30M75BLLG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.188 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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APT30M75BLLG Allgemeine Beschreibung
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.
BodyDiode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.
Funktionen
- Power Semiconductors, Power Modules and RF Power MOSFETs Catalog
- Eliminating Parasitic Oscillation between Parallel MOSFETs
- High Frequency Resonant Half Bridge
- Improved Power MOSFETS Boost Efficiency IN A 3.5kw Single Phase PFC
- Introduction to MOSFETs
- Latest Technology PT IGBTs vs. Power MOSFETs
- Making Use of Gate Charge Information In MOSFET and IGBT Data Sheets
- Optimizing MOSFET and IGBT Gate Current to Minimize dv/dt Induced Failures in SMPS Circuits
- Turn Off Snubber Design for High Frequency Modules
- VDS(on) VCE(sat) Measurement
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | Microchip | Product Category | MOSFET |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Id - Continuous Drain Current | 44 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 75 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Qg - Gate Charge | 57 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 329 W |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Microchip Technology |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
Versand
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