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Infineon BSC022N04LS6
Low-loss, high-current MOSFET suitable for automotive and industrial application
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC022N04LS6
Datenblatt: BSC022N04LS6 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SuperSO8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.668 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,343 | $1,343 |
| 10 | $1,236 | $12,360 |
| 30 | $1,169 | $35,070 |
| 100 | $1,051 | $105,100 |
| 500 | $1,020 | $510,000 |
| 1000 | $1,006 | $1006,000 |
Auf Lager: 2.668 Stck
BSC022N04LS6 Allgemeine Beschreibung
- Meet the OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family, featuring the high-performance BSC022N04LS6 model. Engineered for various applications, this MOSFET is particularly well-suited for use in synchronous rectification in SMPS found in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers, and ORing circuits. Through enhancements in on-state resistance and figure of merits, this MOSFET empowers designers to enhance efficiency levels, streamline thermal design processes, and minimize the need for paralleling. Experience a reduction in system costs and improved performance with this cutting-edge MOSFET
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8FL, 8 PIN |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 85 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 139 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0032 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 20 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 79 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 556 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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