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Infineon BSC028N06NS 48HRS

High-power N-channel MOSFET for efficient motor control and power conversion application

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC028N06NS

Datenblatt: BSC028N06NS Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SuperSO8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.122 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,957 $0,957
10 $0,816 $8,160
30 $0,739 $22,170
100 $0,651 $65,100
500 $0,612 $306,000
1000 $0,595 $595,000

Auf Lager: 2.122 Stck

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BSC028N06NS Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Funktionen

Optimized for High-Performance SMPS: The MOSFET is optimized for high-performance Switch-Mode Power Supplies (SMPS), making it suitable for applications such as synchronous rectification.

100% Avalanche Tested: The device has undergone 100% avalanche testing, ensuring its ability to handle transient voltage spikes and overcurrent conditions without failing due to avalanche breakdown.

Superior Thermal Resistance: The MOSFET is designed with superior thermal resistance properties. Effective thermal management is crucial for high-power applications to prevent overheating and maintain reliability.

N-Channel: The BSC028N06NS is an N-channel MOSFET, which means it conducts current when a positive voltage is applied to the gate terminal with respect to the source terminal. N-channel MOSFETs are commonly used in low-side switching configurations.

Qualified According to JEDEC: The device is qualified according to JEDEC standards, which are industry standards for the microelectronics industry. This qualification ensures that the MOSFET meets specific performance and reliability criteria.

Pb-Free Lead Plating: The device features lead plating that is free of lead (Pb). This makes it compliant with environmental regulations and directives such as the Restriction of Hazardous Substances (RoHS).

Halogen-Free: The MOSFET is halogen-free according to IEC 61249-2-21, which is important for environmental considerations, as halogen-containing materials can release harmful gases when exposed to high temperatures.

Anwendung

Switch-Mode Power Supplies (SMPS): It can be used in high-performance SMPS for efficient power conversion and voltage regulation.

Synchronous Rectification: The MOSFET is suitable for use in synchronous rectification circuits, which are commonly found in power supplies and motor control applications.

Motor Control: It can be used in motor control circuits for switching high-current loads in various motor-driven systems.

Voltage Regulation: In voltage regulation circuits, it can help control the output voltage of power supplies and DC-DC converters.

General-Purpose Switching: Its high-performance characteristics make it suitable for use as an electronic switch in various high-speed switching applications.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology OptiMOS feature-configuration Single Quad Drain Triple Source
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type N
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 60
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a 100 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 2.8@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 37@10V feature-typical-gate-charge-10v-nc 37
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 2700@30V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 2500 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 8
feature-supplier-package TDSON EP feature-standard-package-name1 SON
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-escc-qualified feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC028N06NS chip is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high current applications. It features a low on-resistance of 3.1 mΩ and a maximum drain current of 140 A, making it suitable for use in power supplies, motor controls, and DC-DC converters. Additionally, it offers a fast switching speed and low gate charge for efficient operation.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC028N06NS chip are IRF9610, IRF740, and IRF640. These are all N-channel MOSFETs that can be used as alternatives for the BSC028N06NS chip in various electrical applications.
  • Features

    BSC028N06NS is a N-channel power MOSFET from Infineon Technologies. It features a drain-source voltage of 60V, a continuous drain current of 100A, and a low on-state resistance of 2.8mΩ. This MOSFET is suitable for high power applications such as motor control and power supplies.
  • Pinout

    The BSC028N06NS is a Power MOSFET with a 3-pin count (Source, Gate, Drain). It is used for power management applications in various electronic devices, such as DC-DC converters, motor control, and inverter systems. The MOSFET provides high efficiency, low on-resistance, and fast switching characteristics.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC028N06NS is Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power electronics, automotive semiconductor solutions, and industrial automation technologies. Founded in 1999, Infineon is a leading player in the global semiconductor industry with a focus on efficient energy use, mobility, and security.
  • Application Field

    The BSC028N06NS power MOSFET can be used in various applications such as power supplies, motor control circuits, inverters, and battery management systems. It is suitable for use in high voltage and high current applications where efficient power management and low on-resistance are important factors.
  • Package

    The BSC028N06NS chip comes in a TO-220 package type, with a through-hole mounting form. It has a size of 10.29mm x 9.91mm x 4.7mm (L x W x H).

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