Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

Infineon BSC028N06NSATMA1 48HRS

State-of-the-art Trans MOSFET for demanding automotive systems requiring low-power loss and high-reliability performance

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: BSC028N06NSATMA1

Datenblatt: BSC028N06NSATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2.201 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,390 $1,390
10 $1,157 $11,570
30 $1,030 $30,900
100 $0,886 $88,600
500 $0,821 $410,500
1000 $0,791 $791,000

Auf Lager: 2.201 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für BSC028N06NSATMA1 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

BSC028N06NSATMA1 Allgemeine Beschreibung

Whether used in automotive power systems, industrial automation equipment, or renewable energy applications, the BSC028N06NSATMA1 MOSFET delivers high power handling capability in a compact and reliable package. Its N-channel design, low on-resistance, and high current rating make it a versatile choice for a wide range of power management tasks. With its automotive qualification and robust construction, this MOSFET is a dependable solution for demanding electrical designs

Funktionen

  • New generation of power electronics
  • High-reliability and high-efficiency devices
  • Advanced semiconductor technology applications
  • Rugged and compact design for harsh environments
  • Improved thermal management and reduced EMI
  • Enhanced power quality and reliability assurance

Anwendung

  • Renewable energy
  • Telecom supplies
  • Power generators

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC028N06NSATMA1 is a power MOSFET transistor designed for high-current applications. It has a low on-resistance of 2.8mΩ and a maximum operating voltage of 60V, making it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power electronic devices. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of BSC028N06NSATMA1 chip are IRF1010EZS, IRFB4103GPBF, IRFP4568PBF, IPP60R190C6, IPW60R041CFD, IPW60R041CFD, and IPW65R700CFD.
  • Features

    - BSC028N06NSATMA1 is a N-channel power MOSFET - Features low on-resistance of 2.8mΩ - Suitable for high efficiency power management applications - Can handle a continuous drain current of 150A - Operates at a maximum voltage of 60V - RoHS compliant and lead-free package design
  • Pinout

    BSC028N06NSATMA1 is a 80V N-channel MOSFET with a 15A rating. It has a pin count of 8 and is commonly used for power management applications in automotive and industrial applications. The functions of the pins include gate, source, drain, and other auxiliary functions for enhanced performance and protection.
  • Manufacturer

    The manufacturer of BSC028N06NSATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a semiconductor manufacturing company based in Germany that specializes in producing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for automotive, industrial, and home appliances.
  • Application Field

    BSC028N06NSATMA1 can be used in various applications including power supplies, motor drives, UPS systems, solar inverters, and industrial automation. Its high efficiency, low on-state resistance, and fast switching speed make it ideal for power switching applications that require high performance and reliability.
  • Package

    The BSC028N06NSATMA1 chip is a Power-SO8 package type, with a form of Surface Mount and a size of 5mm x 6mm x 1mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSC028N06NSATMA1 PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • IRF4905PBF

    IRF4905PBF

    Infineon Technologies

    The IRF4905PBF is a power-efficient P-channel MOSF...

  • IRF3710

    IRF3710

    Infineon

    Power Field-Effect Transistor with 57A I(D)

  • IRF6619

    IRF6619

    Infineon

    20V MOSFET with 2.2mΩ resistance at 30A

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...