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$5000Infineon BSC035N04LSGATMA1
21A current rating in an 8-pin package
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC035N04LSGATMA1
Datenblatt: BSC035N04LSGATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.827 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC035N04LSGATMA1 Allgemeine Beschreibung
The BSC035N04LSGATMA1 MOSFET is a high-performance N-channel transistor that offers exceptional power handling capabilities. With a drain source voltage of 40V and an on-resistance of 2.9mohm, this MOSFET is optimized for efficiency and reliability. Supporting a current rating of 100A and a power dissipation of 69W, it is well-suited for high-power applications in various industries. The PG-TSDSON package style ensures easy installation and secure mounting, making it ideal for rugged environments. Operating within a wide temperature range of -55°C to +150°C, this MOSFET delivers consistent performance in extreme conditions. The 8-pin configuration allows for versatile circuit designs and enhanced functionality
Funktionen
- Precision temperature sensing and control
- Excellent low-power operation capabilities
- Rapid data transfer rates guaranteed
- Precise current measurement and monitoring
- Advanced power-up sequencing optimization
- Sophisticated fault detection and recovery
Anwendung
- Electric power systems
- Battery control units
- Industrial controls
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC035N04LSGATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for high efficiency power control applications. It features a low on-state resistance and high current handling capacity, making it suitable for use in various power management systems such as DC-DC converters and motor control circuits.
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Equivalent
The equivalent products of BSC035N04LSGATMA1 chip are BSC010N04LSG, BSC025N04LSG, and BSC040N04LSG. These chips are all N-channel Power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
BSC035N04LSGATMA1 is a MOSFET with a drain-source voltage of 40V, continuous drain current of 60A, low on-resistance of 3.5mOhm, and a gate threshold voltage of 1.5V. It is designed for use in power management applications where high efficiency and high power density are required. -
Pinout
BSC035N04LSGATMA1 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a pin count of 8. It is designed for use in high power applications, such as motor control and power supplies. The main function of this component is to control the flow of current between the source and drain terminals based on the voltage applied to the gate terminal. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of BSC035N04LSGATMA1. It is a German semiconductor manufacturing company that supplies a wide range of products including power semiconductors, sensors, and automotive and industrial ICs. Infineon Technologies AG is one of the largest semiconductor manufacturers in Europe and is a leading player in the global market. -
Application Field
BSC035N04LSGATMA1 is a silicon carbide power MOSFET suitable for high-power applications such as electric vehicle powertrains, renewable energy systems, industrial motor drives, and power supply units. It offers low on-resistance, high thermal conductivity, and high voltage capability, making it a reliable choice for demanding power electronics applications. -
Package
The BSC035N04LSGATMA1 chip is a Power-SO8 package type with a form factor of Surface Mount. It has dimensions of approximately 5mm x 6mm x 1mm.
Datenblatt PDF
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