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$5000Infineon BSC093N04LSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC093N04LSGATMA1
Datenblatt: BSC093N04LSGATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.048 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC093N04LSGATMA1 Allgemeine Beschreibung
Infineon Technologies has developed the BSC093N04LSGATMA1 power MOSFET transistor to meet the needs of high-power applications with its impressive specifications. With a 40V drain-source voltage rating and a continuous drain current of 130A, this transistor is well-suited for demanding tasks that require efficient power handling. Its low on-resistance of 9.3 mΩ contributes to minimal power loss and ensures high efficiency during operation
Funktionen
- Advanced thermal management system
- Low noise emission and efficient heat dissipation
- Robust construction for reliable operations
Anwendung
- Power distribution
- Hybrid vehicles
- Motor drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for use in high-performance applications. It features a low ON resistance and high current handling capability, making it ideal for use in power management circuits, motor control, and other high-power applications.
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Equivalent
The equivalent products of BSC093N04LSGATMA1 chip are BSC093N04LS6G, BSC093N04NS6G, and BSC093N04NSATMA1. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET featuring a drain-source voltage of 40V and continuous drain current of 150A. It has a low on-state resistance of 1.9mΩ and is suitable for high-performance power applications. Additional features include a TO263 package and enhanced thermal management capabilities. -
Pinout
BSC093N04LSGATMA1 is a 30V N-channel Power MOSFET with a dual Power-SO8 package. It has a pin count of 8 pins and is commonly used for switching applications in power supplies, motor control, and battery management systems. -
Manufacturer
BSC093N04LSGATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor company that specializes in power and chip solutions. It is a leading supplier of power semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. -
Application Field
BSC093N04LSGATMA1 is a power MOSFET commonly used in applications such as power supplies, motor control, energy management systems, battery management systems, and DC-DC converters. It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high efficiency. -
Package
The BSC093N04LSGATMA1 chip is in a Power-SO8 package with a form of Surface Mount. Its size is 5mm x 6mm x 1mm.
Datenblatt PDF
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