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Infineon BSC110N06NS3G
TDSON-8 package provides excellent thermal dissipation and reliability
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC110N06NS3G
Datenblatt: BSC110N06NS3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SuperSO8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.933 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,363 | $1,363 |
| 10 | $1,191 | $11,910 |
| 30 | $1,096 | $32,880 |
| 100 | $0,991 | $99,100 |
| 500 | $0,943 | $471,500 |
| 1000 | $0,921 | $921,000 |
Auf Lager: 2.933 Stck
BSC110N06NS3G Allgemeine Beschreibung
N-Channel 60 V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC110N06NS3G | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 22 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 12 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.011 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A | Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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BSC110N06NS3G is a power MOSFET chip designed for high current applications. It offers low on-resistance and high switching efficiency, making it suitable for a wide range of voltage conversion and power management applications. With its compact size and advanced features, the BSC110N06NS3G chip provides excellent performance and reliability in various electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products to the BSC110N06NS3G chip include the BSC108B12NS3G, BSP130P, BSC180N06NS3G, and BSC078N10NS3G chips. -
Features
The BSC110N06NS3G is a power MOSFET with a voltage rating of 60V and a current rating of 110A. It has a low on-resistance of 6mΩ, allowing for efficient power conversion. The MOSFET also features low gate charge and low gate-source voltage, making it suitable for use in various applications such as motor control and power supplies. -
Pinout
The BSC110N06NS3G is a power MOSFET and has a pin count of three. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the conduction between the Drain and Source pins, making it suitable for power switching applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSC110N06NS3G. It is a German semiconductor company that specializes in manufacturing and supplying components for power electronics, including industrial and automotive applications. -
Application Field
The BSC110N06NS3G is a power MOSFET transistor typically used in power management applications such as switch mode power supplies, motor control, and automotive systems. -
Package
The BSC110N06NS3G chip has a D²PAK package type, a single form, and a size of 10.4mm x 9.9mm x 4.6mm.
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