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$5000Infineon BSC670N25NSFDATMA1
This MOSFET, labeled BSC670N25NSFDATMA1, is packaged in a TDSON-8 format and is compliant with the ROHS directive
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC670N25NSFDATMA1
Datenblatt: BSC670N25NSFDATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.682 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC670N25NSFDATMA1 Allgemeine Beschreibung
Product BSC670N25NSFDATMA1 is a cutting-edge power MOSFET from Infineon's latest OptiMOS Fast Diode (FD) series. Specifically designed for hard switching applications in telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control, and DC-AC inverters, this MOSFET offers exceptional performance and reliability
Funktionen
- High efficiency motor control
- Low voltage logic level shifter
- Power conversion module design
- Smart grid energy management
- Data center power distribution
- Solar panel inverter application
Anwendung
- Energy efficient solutions
- High performance devices
- Clean energy technologies
- Power management solutions
- Advanced electrical systems
- Green energy applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Y | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TDSON-8 |
| Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 59 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W | Configuration: | Single |
| Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
| Packaging: | Reel | Series: | OptiMOS Fast Diode |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Brand: | Infineon Technologies |
| Forward Transconductance - Min: | 24 S | Fall Time: | 4 ns |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 3.6 ns |
| Factory Pack Quantity: | 5000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Part # Aliases: | BSC670N25NSFD SP001107234 | Tags | BSC6, BSC |
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes |
Versand
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|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC670N25NSFDATMA1 is a power transistor chip designed for high efficiency and reliability in high-power applications. With a voltage rating of 250V and a current rating of 50A, this chip is suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications. Its advanced technology ensures low on-resistance and thermal resistance for improved performance and durability.
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Equivalent
The equivalent products of BSC670N25NSFDATMA1 chip are Infineon CoolMOS N-Channel Power MOSFET, Nexperia Power MOSFET, Renesas Power MOSFET, and Toshiba Power MOSFET with similar specifications and performance characteristics for power management applications. -
Features
- High voltage, low loss & fast switching IGBT module - 2500V collector-emitter voltage - 670A collector current - NPT3 technology for high efficiency - Direct copper bonded Al2O3 ceramic baseplate - Soldering process on DCB without any insulating material - Integrated gate resistance for easier installation & optimized EMI performance -
Pinout
BSC670N25NSFDATMA1 is a 25-pin socket contact with a flat top-positioned on the center of the pad-entry arrangement. The main function of BSC670N25NSFDATMA1 is to provide a reliable and secure connection between the socket and the device being connected. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of BSC670N25NSFDATMA1. It is a semiconductor manufacturer, specializing in components for automotive, industrial, and security applications. The company is known for its high-quality power and sensor solutions, as well as its innovative technology in fields such as renewable energy and digital security. -
Application Field
BSC670N25NSFDATMA1 is a silicon carbide power MOSFET suitable for various high-power applications, including motor drives, electric vehicles, renewable energy systems, and industrial power supplies. It offers low on-resistance, high switching speeds, and high temperature capabilities, making it ideal for high-performance power electronics applications. -
Package
The BSC670N25NSFDATMA1 chip is a surface mount package with a form of MOSFET. It has a size of 4.6mm x 9.5mm x 0.73mm and is designed for high power applications.
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