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ON BSS123LT1

MOSFET 100V 170mA N-Channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ON Semiconductor, LLC

Herstellerteil #: BSS123LT1

Datenblatt: BSS123LT1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3866 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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BSS123LT1 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:0.17A; Resistance, Rds On:6ohm; Case Style:SOT-23 (TO-236); Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:0.68A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.225W; Power, Pd:0.225W; SMD Marking:SA; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:2.8V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm

bss123lt1

Funktionen

  • RoHS Compliant

Anwendung

  • This product is general usage and suitable for many different applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Status Obsolete CAD Models
Compliance PbAHP Package Type SC-74 (SC-59ML) 6 LEAD
Case Outline 318 MSL Type 1
MSL Temp (°C) 235 Container Type REEL
Container Qty. 3000 ON Target N
Channel Polarity N-Channel Configuration Single
V(BR)DSS Min (V) 100 VGS Max (V) 20
VGS(th) Max (V) 2.8 ID Max (A) 0.17
PD Max (W) 0.225 RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) - RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 6000
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) - Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) -
Ciss Typ (pF) 20 Pricing ($/Unit) Price N/A
Case/Package TO-236-3 Mount Surface Mount
Number of Pins 3 Continuous Drain Current (ID) 170 mA
Current Rating 170 mA Drain to Source Breakdown Voltage 100 V
Drain to Source Resistance 6 Ω Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Element Configuration Single Gate to Source Voltage (Vgs) 20 V
Input Capacitance 20 pF Max Operating Temperature 150 °C
Max Power Dissipation 225 mW Min Operating Temperature -55 °C
Packaging Cut Tape (CT) Power Dissipation 225 mW
Rds On Max 6 Ω Turn-Off Delay Time 40 ns
Voltage Rating (DC) 100 V

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSS123LT1 chip is a small signal MOSFET transistor designed for switching applications in low-voltage circuits. It features a low on-resistance and low gate threshold voltage, making it suitable for battery-operated devices and low-power applications. The chip is compact and offers high speed and reliability, making it commonly used in consumer electronics, computers, and automotive systems.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSS123LT1 chip are the BSS84LT1G, BSS84LT3G, and BSS84LT3.
  • Features

    The BSS123LT1 is a N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 0.17A, and a low on-resistance of 1.2 ohms. It is compact in size and designed for use in a variety of low-power applications, including switching, amplification, and level shifting circuits.
  • Pinout

    The BSS123LT1 is a N-Channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has three pins - gate (G), drain (D), and source (S). The pin count of the BSS123LT1 is 3, and its primary function is to amplify and switch electronic signals in various electronic circuits.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSS123LT1 is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor manufacturing company that specializes in power and signal management, discrete, and custom semiconductor solutions.
  • Application Field

    The BSS123LT1 is a small signal MOSFET transistor commonly used in low voltage applications such as battery-powered devices, consumer electronics, and portable devices. It can be used for switching, amplification, and logic level shifting purposes.
  • Package

    The BSS123LT1 chip is available in a SOT-23 package type. The form and size of this chip are small and compact, measuring approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSS123LT1 PDF Herunterladen

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