Infineon BUZ341
33 A, 200 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218AA
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BUZ341
Datenblatt: BUZ341 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-3P
Produktart: Diskrete Halbleiter
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2833 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMBUZ341 Allgemeine Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | SIPMOS | feature-configuration | Single |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 200 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 33 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 70@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | feature-typical-gate-charge-10v-nc | ||
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 2600@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 170000 | feature-packaging | |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-supplier-package | TO-218AA | feature-standard-package-name1 | TO |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-escc-qualified | feature-military | No | |
feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | |
feature-svhc-exceeds-threshold | No |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Teilpunkte
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The BUZ341 is a high voltage N-channel power MOSFET transistor used for switching applications in electronic circuits. It has a maximum power dissipation of 125W, a drain-source voltage of 500V, and a continuous drain current of 60A. This transistor is commonly used in power supply, motor control, and automotive applications.
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Equivalent
The equivalent products of BUZ341 chip are IRFZ44, IRF244, IRF341, BUZ101, and 2N6141. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and can be used as replacements for BUZ341 in various electronic applications. -
Features
The BUZ341 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage applications. It features a drain-source voltage rating of 400 volts, a continuous drain current of 35 amps, and a low on-state resistance. It is commonly used in power supply and switching applications due to its robustness and efficiency. -
Pinout
The BUZ341 is a power MOSFET transistor. It typically has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. It's commonly used in power switching applications due to its high voltage and current handling capabilities. -
Manufacturer
The BUZ341 is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor manufacturer, specializing in power and chip solutions for various industries like automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BUZ341 is a high current N-channel power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and inverter circuits. Its low on-resistance and high current handling capability make it suitable for high power applications where efficient power switching is required. -
Package
The BUZ341 is a power MOSFET transistor. It typically comes in a TO-220AB package, which is a through-hole package with three leads. The dimensions of the TO-220AB package are approximately 10.4mm x 15.9mm x 4.6mm.
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