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ON FDB070AN06A0
Power transistor, capable of handling high current
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDB070AN06A0
Datenblatt: FDB070AN06A0 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3 (TO-263-3)
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2615 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDB070AN06A0 Allgemeine Beschreibung
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Funktionen
- RDS(on) = 6.1mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
- QG(tot) = 51nC (Typ.) @ VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Anwendung
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Other Data Processing
- Other Industrial
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 66 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 175 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDB070AN06A0 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 35 ns | Height | 4.83 mm |
| Length | 10.67 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 159 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | Width | 9.65 mm |
| Part # Aliases | FDB070AN06A0_NL |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|
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 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDB070AN06A0 chip, manufactured by Fairchild Semiconductor, is a power MOSFET transistor designed specifically for use in automotive applications. It features a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current capability of 70A. The chip also incorporates advanced trench technology, providing low on-state resistance and high switching performance.
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Features
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET module that features a low on-resistance of 7.4mΩ, allowing for efficient power management and reduced power dissipation. It also has a high current rating of 70A, making it suitable for a variety of applications requiring high power handling. -
Pinout
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of its three pins are typically Gate, Drain, and Source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDB070AN06A0 is Infineon Technologies. It is a German multinational semiconductor company that specializes in the manufacturing and distribution of various semiconductor products, including power management ICs, microcontrollers, sensors, and automotive electronics, among others. -
Application Field
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor designed for use in high-speed, high-frequency applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting controllers. It can also be used in audio amplifiers and other high-performance electronic devices due to its low on-resistance and high voltage capability. -
Package
The FDB070AN06A0 chip is a power MOSFET device with a TO-263 package type, which is also known as D2PAK or I2PAK. It has a form of a rectangular plastic package with three leads and a size of approximately 10.3mm x 9.6mm x 4mm.
Datenblatt PDF
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