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ON FDB088N08
N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: FDB088N08
Datenblatt: FDB088N08 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3869 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $1,477 | $1,477 |
| 10 | $1,444 | $14,440 |
| 30 | $1,422 | $42,660 |
| 100 | $1,403 | $140,300 |
In Stock:3869 PCS
FDB088N08 Allgemeine Beschreibung
This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Funktionen
- RDS(on) = 7.3mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 85A
- Fast switching speed
- Low Gate Charge
- High performance trench technology for low RDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Anwendung
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDB088N08 | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | D2PAK-3 | Manufacturer Package Code | 418AJ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 45 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 309 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 75 V |
| Drain Current-Max (ID) | 85 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0088 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 160 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 340 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 75 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 4 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 120 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 8.8@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 91@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 91 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 4960@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 160000 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDB088N08 is a power MOSFET chip primarily used for switching applications. It has a maximum voltage rating of 80V and a continuous drain current of 80A. The chip features a low on-resistance and offers high efficiency and reliability. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications where high power switching is required.
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Equivalent
Equivalent products of the FDB088N08 chip include the IPP088N08N3G, STI088N08M5, IPB088N08N5, IRF540NPBF, and IRF7749L1TRPBF. -
Features
FDB088N08 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current rating of 80A, and a low on-resistance of 8.8mΩ. It is designed for applications where high power and efficiency are required, such as power supplies, motor control, and audio amplification. -
Pinout
The FDB088N08 is a MOSFET transistor device. It has a pin count of 8, meaning it has 8 different pins for various connections. The specific function of each pin can be found in the datasheet provided by the manufacturer. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDB088N08 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductor devices. -
Application Field
The FDB088N08 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and battery management systems. It is designed to handle high voltage and high current, making it suitable for applications that require efficient power switching and low on-resistance. -
Package
The FDB088N08 chip has a TO-263 package type, with a through-hole mounting form. Its approximate size is 10mm x 8.7mm x 3.3mm.
Datenblatt PDF
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