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ON FDC645N
FDC645N, an N-channel MOSFET from ON Semiconductor, boasts a 5.5 A current capacity and a 30 V voltage rating, packaged in a 6-pin SSOT form factor
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDC645N
Datenblatt: FDC645N Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SSOT-6
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3407 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDC645N Allgemeine Beschreibung
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Funktionen
- 5.5 A, 30 V.
- RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- Low gate charge (13 nC typical)
- High power and current handling capability
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Qg - Gate Charge | 21 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDC645N | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 33 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | FDC645N_NL |
| Unit Weight | 0.001270 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDC645N chip is a power MOSFET specifically designed for load switching applications in portable devices and battery-powered systems. It offers low on-resistance, high current capability, and low gate charge. The chip provides efficient power management and helps enhance the overall performance and runtime of battery-powered devices.
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Equivalent
The equivalent products of FDC645N chip are FDV303N, IRLML2502, IRF9910, SI2304, BSS847, BST847, AO4813A, and FDS4848. -
Features
FDC645N is a small signal and low Vth N-channel MOSFET. It has a low on-resistance, making it suitable for high-frequency applications. It operates at a voltage range of -20V to 12V, and has a maximum continuous drain current of 2.4A. It is designed for low-power and low-voltage applications. -
Pinout
The FDC645N is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is commonly used for power applications. -
Manufacturer
The FDC645N is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor company. It specializes in the design, development, and manufacturing of a wide range of electronic components and solutions for various industries. -
Application Field
The FDC645N is a high-performance N-channel MOSFET transistor primarily used in power management applications. It can be applied in various areas such as DC-DC converters, motor control, electronic load switches, battery chargers, and other power management circuits requiring low RDS(ON) and fast switching. -
Package
The FDC645N chip comes in a small, surface-mount package type called SOT-23, which has three pins. It measures approximately 3.0 mm x 1.3 mm x 0.95 mm (LxWxH).
Datenblatt PDF
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