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ON FDD5N50NZTM
1.5 ohms resistance
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDD5N50NZTM
Datenblatt: FDD5N50NZTM Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3 , TO-252-3
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2581 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDD5N50NZTM Allgemeine Beschreibung
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Funktionen
- RDS(on) = 1.38Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2A
- Low gate charge ( Typ. 9nC)
- Low Crss ( Typ. 4pF)
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- ESD improved capability
- RoHS compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 / TO-252-3 | Case Outline | 369AS |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
| Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 500 |
| VGS Max (V) | ±25 | VGS(th) Max (V) | 5 |
| ID Max (A) | 4 | PD Max (W) | 62 |
| RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 1500 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 9 |
| Ciss Typ (pF) | 330 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FDD5N50NZTM is a power MOSFET chip designed for high speed switching applications. It has a maximum drain current of 5A and can withstand voltages up to 500V. The chip offers low on-resistance and excellent thermal resistance, making it suitable for various power control and conversion applications.
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Features
The FDD5N50NZTM is a power MOSFET with a voltage rating of 500 V and a current rating of 5 A. It is designed for high-performance applications and offers low on-resistance, fast switching speed, and excellent thermal characteristics. -
Pinout
The FDD5N50NZTM is a N-Channel MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The MOSFET is used as a switch or amplifier in various electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDD5N50NZTM is ON Semiconductor. It is a global semiconductor supplier, providing energy-efficient solutions in various industries such as automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and military/aerospace. ON Semiconductor focuses on developing innovative technologies and products that help improve energy efficiency and sustainability. -
Application Field
The FDD5N50NZTM is a power MOSFET, utilized in a wide range of applications. It is particularly suitable for power supplies, motor control, lighting systems, audio amplifiers, and other applications requiring high voltage and high current capabilities. -
Package
The FDD5N50NZTM chip is available in a TO-252 (DPAK) package, which is a surface-mount package with three pins. Its form is a single device with a silicon body. The package size is approximately 6.6mm x 9.2mm x 2.3mm.
Datenblatt PDF
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