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ON FDG1024NZ
These MOSFETs offer efficient power handling capabilities with a compact SC-88-6 package design, making them ideal for space-constrained PCB layouts
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDG1024NZ
Datenblatt: FDG1024NZ Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-323-6
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2388 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDG1024NZ Allgemeine Beschreibung
This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Funktionen
- Max rDS(on) = 175 mO at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A
- Max rDS(on) = 215 mO at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A
- Max rDS(on) = 270 mO at VGS = 1.8 V, ID = 0.9 A
- Max rDS(on) = 389 mO at VGS = 1.5 V, ID = 0.8 A
- HBM ESD protection level >2 kV (Note 3)
- Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5 V circuits (VGS(th) < 1 V)
- Very small package outline SC70-6
- RoHS Compliant
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 321 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 2.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDG1024NZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Forward Transconductance - Min | 4 S |
| Height | 1.1 mm | Length | 2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | Power Trench MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
| Width | 1.25 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FDG1024NZ is a chip used for fingerprint recognition and authentication. It offers a high level of security and accuracy, making it suitable for various applications, including mobile devices, access control systems, and financial transactions. The chip utilizes advanced technology to capture and process fingerprint data, providing quick and reliable identification.
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Features
The FDG1024NZ is a compact, high-performance frequency synthesizer IC. It has a wide frequency range, low phase noise, and low power consumption. It supports both phase-locked loop (PLL) and direct digital synthesis (DDS) modes of operation. The IC also offers built-in frequency sweep and automatic power control features for enhanced functionality. -
Pinout
The FDG1024NZ is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Its functions include acting as a switch or amplifier for low voltage applications, offering low on-resistance, and supporting high current handling capabilities. -
Application Field
The FDG1024NZ is a field-effect transistor designed for use in high-frequency applications such as telecommunication systems, radar, and imaging devices. It can also be used in low-noise amplifiers, mixers, and oscillators. Its compact size and high gain make it suitable for various wireless communication and signal processing applications. -
Package
The FDG1024NZ chip is available in a small and compact surface mount package type known as FlipChip. Its size is typically 1.6mm x 1.6mm, making it suitable for applications that require a miniature footprint and high density.
Datenblatt PDF
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