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ON FDG6316P

Dual P-Channel MOSFET Array with 12V Voltage Rating and 0.7A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FDG6316P

Datenblatt: FDG6316P Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-323-6

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2492 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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FDG6316P Allgemeine Beschreibung

MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V

fdg6316p

Funktionen

  • -0.7 A, -12 V
  • RDS(ON) = 270 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 360 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 650 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • Low Gate Charge
  • High-Performance Trench Technology for Extremelylow RDS(ON)
  • Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage

Anwendung

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-323-6 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 700 mA Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.5 V
Qg - Gate Charge 2.4 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 mW
Channel Mode Enhancement Tradename PowerTrench
Series FDG6316P Brand onsemi / Fairchild
Configuration Dual Fall Time 13 ns
Forward Transconductance - Min 2.5 S Height 1.1 mm
Length 2 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 13 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 P-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 8 ns Typical Turn-On Delay Time 5 ns
Width 1.25 mm Part # Aliases FDG6316P_NL
Unit Weight 0.000988 oz

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FDG6316P chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and low gate charge, enabling efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices, such as power supplies, motor drives, and lighting applications.
  • Pinout

    The FDG6316P is a P-channel power MOSFET with a pin count of 6. Its main function is to control the flow of current in a circuit as a switch or amplifier.
  • Application Field

    The FDG6316P is a power MOSFET commonly used in various electronic applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for high-current switching operations due to its low on-resistance and fast switching characteristics.
  • Package

    The package type of the FDG6316P chip is SOT-23. The chip has a form factor of surface mount with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FDG6316P PDF Herunterladen

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