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ON FDG6317NZ
High-performance 2N-Ch PowerTrench MOSFET rated at 20V and 0.7A
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDG6317NZ
Datenblatt: FDG6317NZ Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-323-6
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3601 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDG6317NZ Allgemeine Beschreibung
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:0.7mA; On Resistance, Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V
Funktionen
- 0.7A, 20V
- RDS(ON) = 400 mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5V
- ESD protection diode (note 3)
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage
Anwendung
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 700 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Qg - Gate Charge | 1.1 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDG6317NZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 1.8 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 7.5 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.5 ns |
| Width | 1.25 mm | Part # Aliases | FDG6317NZ_NL |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The FDG6317NZ is a semiconductor chip used for power management in electronic devices. It features a low voltage drop and high current capability, making it suitable for various applications requiring efficient power management. It is designed to improve overall device performance and power efficiency while minimizing heat generation.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the FDG6317NZ chip. However, some alternative options that can be considered are FDG6307NZ and FDG6335NZ, which have similar specifications and functionalities. -
Pinout
The FDG6317NZ is a Dual P-Channel MOSFET with a pin count of 6. The pinout options and functions of the pins are as follows: Pin 1 is the Gate (G1) of the first MOSFET, Pin 2 is the Source (S1) of the first MOSFET, Pin 3 is the Drain (D1) of the first MOSFET, Pin 4 is the Drain (D2) of the second MOSFET, Pin 5 is the Source (S2) of the second MOSFET, and Pin 6 is the Gate (G2) of the second MOSFET. -
Manufacturer
The FDG6317NZ is manufactured by LG Electronics, a multinational electronics company. LG Electronics is known for producing a wide range of products including televisions, smartphones, home appliances, and industrial equipment. It is headquartered in Seoul, South Korea, and is one of the leading consumer electronics manufacturers in the world. -
Application Field
The FDG6317NZ is a high power N-channel MOSFET primarily designed for power applications such as switch mode power supplies, motor drives, and high voltage amplifiers. -
Package
The FDG6317NZ chip has a SOT-23 package type. The form is Surface Mount Device (SMD). The size of the chip is small, measuring approximately 2.9mm x 1.3mm.
Datenblatt PDF
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