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ON FDMS3669S
FDMS3669S - MOSFET featuring Asymmetric Dual N-Channel Power Trench technology for 30V applications
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: FDMS3669S
Datenblatt: FDMS3669S Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: Power-56-8
Produktart: Transistoren
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2769 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMFDMS3669S Allgemeine Beschreibung
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Funktionen
- Q1: N-Channel
Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
Max rDS(on) = 14.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A - Q2: N-Channel
Max rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A
Max rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A - Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
- RoHS Compliant
Anwendung
- Notebook PC
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 34 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | Power Stage PowerTrench |
| Series | FDMS3669S | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min | 113 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 6 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 3 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Width | 5 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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FDMS3669S is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices. It is known for its efficient power management and low on-resistance, allowing for high-performance operation while minimizing power loss. The chip is designed to improve the overall power efficiency of electronic systems, making it suitable for applications such as mobile devices, laptops, and various consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of the FDMS3669S chip include the AON6428, AON6418, and AON6403. -
Features
The FDMS3669S is a power MOSFET that has a maximum drain-source voltage rating of 30V and a maximum drain current rating of 80A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact surface-mount package. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. -
Pinout
The FDMS3669S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 8, with 4 pins for each MOSFET: drain (D), source (S), gate (G), and body (B). This MOSFET is used for power management applications and provides low on-resistance and high power density. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMS3669S is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in the design, development, and production of integrated circuits and power devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDMS3669S is a power stage module designed for DC-DC applications. Some application areas include power distribution systems, telecommunications, industrial equipment, automotive, and consumer electronics where high power density and efficiency are required. It is commonly used in power management systems for voltage regulation and conversion purposes. -
Package
The FDMS3669S chip is in a Power56 package type, with a form that is surface mount. Its size is 8.88mm x 7.06mm.
Datenblatt PDF
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