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ON FDMS86101DC 48HRS

The product FDMS86101DC is a MOSFET with dual Cool PowerTrench MOSFETs, operating at 100V/20V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FDMS86101DC

Datenblatt: FDMS86101DC Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: DualCool-56-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2757 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $2,436 $2,436
10 $2,149 $21,490
30 $1,969 $59,070
100 $1,784 $178,400
500 $1,702 $851,000
1000 $1,665 $1665,000

In Stock:2757 PCS

- +

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FDMS86101DC Allgemeine Beschreibung

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.

fdms86101dc

Funktionen

  • Shielded Gate MOSFET Technology
  • Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package
  • Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.5 A
  • Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 11.5 A
  • High performance technology for extremely low rDS(on)
  • 100% UIL Tested
  • RoHS Compliant

Anwendung

  • DC-DC Merchant Power Supply

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case DualCool-56-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 14.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 44 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 125 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDMS86101DC
Brand onsemi / Fairchild Configuration Dual
Height 1.05 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Width 5 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FDMS86101DC chip is a power MOSFET designed for high-frequency and high-efficiency applications. It features a low ON-resistance and a low gate charge, enabling it to handle high currents with reduced power losses. The chip is ideal for use in various power conversion applications, such as DC-DC converters, motor drivers, and buck/boost regulators.
  • Equivalent

    There aren't any directly equivalent products to the FDMS86101DC chip. However, similar MOSFET chips that could potentially be used as alternatives include the FDMS86181, FDMS86182, and FDMS86185. These chips have similar specifications and may meet the required functionality.
  • Features

    FDMS86101DC is a 100 V N-channel PowerTrench MOSFET designed for synchronous rectified buck switching applications. It features low on-resistance, low gate charge, and fast switching characteristics, making it suitable for high-performance power management circuits, DC-DC converters, and motor control applications.
  • Pinout

    The FDMS86101DC has a pin count of 8 and is a power MOSFET with low on-resistance designed for applications requiring higher power density and efficiency.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDMS86101DC is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and supplies power and discrete semiconductors for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The FDMS86101DC is an advanced power MOSFET used for switching applications in various fields such as automotive, telecommunications, industrial, and consumer products. This MOSFET offers low on-resistance, high current carrying capacity, and fast switching characteristics, making it suitable for applications that require efficient power management and high performance.
  • Package

    The FDMS86101DC chip comes in the QFN package type, with a form factor of dual complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). The size of the chip is approximately 6 mm x 6 mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FDMS86101DC PDF Herunterladen

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