Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

ON FDMS86300

Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: FDMS86300

Datenblatt: FDMS86300 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: Power-56-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2777 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für FDMS86300 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

FDMS86300 Allgemeine Beschreibung

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.

fdms86300

Funktionen

  • Max rDS(on) = 3.9 mΩ at VGS = 10 V, ID = 19 A
  • Max rDS(on) = 5.5 mΩ at VGS = 8 V, ID = 15.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

Anwendung

  • AC-DC Merchant Power Supply

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case Power-56-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V Id - Continuous Drain Current 42 A
Rds On - Drain-Source Resistance 5.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.4 V Qg - Gate Charge 59 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 104 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDMS86300
Brand onsemi / Fairchild Configuration Single
Fall Time 9 ns Forward Transconductance - Min 60 S
Height 1.1 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Rise Time 26 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 36 ns
Typical Turn-On Delay Time 31 ns Width 5 mm
Unit Weight 0.002402 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The FDMS86300 chip is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers a low on-resistance, allowing for efficient power management and reduced power losses. The chip is commonly used in various electronic devices and systems, such as battery chargers, DC-DC converters, and motor control circuits. Its compact size and high performance make it a popular choice for modern electronics.
  • Features

    The FDMS86300 features a high power density fifth-generation trench process, low on-resistance, and excellent thermal performance. It also has a logic-level gate drive, low gate charge, and a low gate resistance. Additionally, it offers a wide safe operating area (SOA) and reliable operation in various applications.
  • Pinout

    The FDMS86300 is a power MOSFET module with a pin count of 3. The pin functions include source, drain, and gate.
  • Manufacturer

    The FDMS86300 is manufactured by Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and production of power management and discrete semiconductor devices.
  • Application Field

    The FDMS86300 is a high-performance power-stage transistor designed for use in applications such as electric vehicles, industrial motor drives, and renewable energy systems. It offers low on-resistance and excellent thermal performance, making it suitable for high-power and high-voltage applications.
  • Package

    The FDMS86300 chip is available in a Power-33 package. Its form is a single, small surface-mount device (SMD). As for size, it typically measures around 5mm x 6mm or similar compact dimensions.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation FDMS86300 PDF Herunterladen

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...