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HGT1S20N60C3S9A
Product HGT1S20N60C3S9A is an N-Channel IGBT with a 45A, 600V rating
Marken: Onsemi
Herstellerteil #: HGT1S20N60C3S9A
Datenblatt: HGT1S20N60C3S9A Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.141 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $7,116 | $7,116 |
| 200 | $2,754 | $550,800 |
| 500 | $2,657 | $1328,500 |
| 800 | $2,610 | $2088,000 |
Auf Lager: 6.141 Stck
HGT1S20N60C3S9A Allgemeine Beschreibung
In conclusion, the HGT1S20N60C3S9A is a high-quality IGBT module that delivers exceptional performance and reliability. Its advanced features, including a fast recovery diode and thermal management system, make it a standout choice for high-power applications. Upgrade your power systems with the HGT1S20N60C3S9A and experience unmatched efficiency and performance
Funktionen
- Maximum Junction Operating Temperature: 150°C
- Operating Voltage Range: 12V to 15V
- Pulse Width: 10us to 100ms
Anwendung
- For electronic devices
- Used in industrial machines
- Essential for power systems
- Ideal for energy-efficient solutions
- Key component for electrical equipment
- Versatile application in various industries
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Status | Last Shipments | Compliance | PbAHP |
| Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
| ON Target | N | V(BR)CES Typ (V) | 600 |
| IC Max (A) | 20 | VCE(sat) Typ (V) | 1.4 |
| Co-Packaged Diode | No |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The HGT1S20N60C3S9A chip is a power semiconductor device designed for high-speed switching applications. It features low on-state voltage, low gate charge, and high thermal performance, making it suitable for efficient and reliable power conversion in various electronics applications.
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Equivalent
Equivalent products of HGT1S20N60C3S9A chip are HGT1S20N60C3S and HGT1S20N60C3S9. These products are part of the HGT1S20N60C3 series and have similar specifications and features, making them suitable alternatives for the HGT1S20N60C3S9A chip. -
Features
1. Gate charge of 20nC 2. Continuous drain current of 60A 3. Low on-state voltage of 3.9V 4. Switching speed of 9A/ns 5. High reliability and robustness 6. Suitable for high-power applications such as motor drives and power supplies. -
Pinout
The HGT1S20N60C3S9A is a 20-pin IGBT module primarily used for power switching applications. It features high-speed switching capabilities, low power loss characteristics, and a continuous collector current of 20A. The pins include gate drive, emitter, collector, and various power supply connections. -
Manufacturer
The manufacturer of HGT1S20N60C3S9A is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions used in various applications such as automotive, industrial, and power electronics. -
Application Field
The HGT1S20N60C3S9A is a high-voltage IGBT designed for applications in induction heating, UPS systems, motor drives, and power supplies. Its high voltage and current ratings make it suitable for high-power and high-frequency switching applications, making it ideal for industrial and commercial applications requiring efficient power conversion. -
Package
The HGT1S20N60C3S9A chip comes in a TO-263-3 package type, is in a single form, and has a size of 6.7mm x 7.0mm x 3.1mm.
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