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Infineon IPG20N04S4-12
TDSON-8 MOSFETs ROHS
Marken: Infineon
Herstellerteil #: IPG20N04S4-12
Datenblatt: IPG20N04S4-12 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: dual SS08 (PG-TDSON-8)
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2144 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $4,636 | $4,636 |
| 10 | $4,048 | $40,480 |
| 30 | $3,699 | $110,970 |
| 100 | $3,347 | $334,700 |
| 500 | $3,184 | $1592,000 |
| 1000 | $3,111 | $3111,000 |
In Stock:2144 PCS
IPG20N04S4-12 Allgemeine Beschreibung
IPG20N04S4-12 is a specific type of power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that is commonly used in electronic circuits for switching applications, voltage regulation, and power amplification.
Funktionen
- It has a maximum drain-source voltage (Vds) of 40 volts, which means it can handle up to 40 volts of input voltage without damage.
- It has a maximum continuous drain current (Id) of 20 amps, which means it can handle up to 20 amps of current flowing through it continuously without overheating.
- It has a low on-state resistance (Rds(on)) of 12 milliohms, which means it has a low power dissipation and can switch on and off very quickly.
Anwendung
- Switching power supplies
- DC-DC converters
- Motor control circuits
- Audio amplifiers
- LED lighting drivers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 80.0 A | RthJC max | 3.7 K/W |
| Ptot max | 41.0 W | Qualification | Automotive |
| Package | dual SS08 (PG-TDSON-8) | VDS max | 40.0 V |
| VGS(th) min | 2.0 V | RDS (on) max | 12.2 mΩ |
| VGS(th) max | 4.0 V | QG max | 14.0 nC |
| Polarity | N+N | ID max | 20.0 A |
| Technology | OptiMOS™-T2 | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Äquivalente Teile
Für den IPG20N04S4-12 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:
Artikelnummer
Marken
Paket
Beschreibung
Artikelnummer : IRF3205
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRF1405
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRF1404
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IRF540N
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : FQP27P06
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : MOSFET 60V P-Channel QFET
Artikelnummer : STP20NM50FD
Marken :
Paket : TO-220
Beschreibung : N-CHANNEL 500V - 0.22ohm - 20A TO-220/I2PAK FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
Artikelnummer : 2SK246GR
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : NDP6020P
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Artikelnummer : IXFN200N07
Marken :
Paket :
Beschreibung :
Teilpunkte
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The IPG20N04S4-12 is a power MOSFET transistor designed for use in various applications requiring high efficiency and reliability. It features a low on-state resistance and is capable of handling a high drain current. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other electronic systems requiring high power switching capabilities.
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Equivalent
Equivalent products of the IPG20N04S4-12 chip include the Infineon Technologies IXYS MOSFET, the ON Semiconductor N-channel MOSFET, and the NXP Semiconductors N-channel MOSFET. These devices offer similar specifications and performance characteristics suitable for applications requiring a 40V, 20A N-channel power MOSFET. -
Features
1. IPG20N04S4-12 is a 40V, 20A power MOSFET. 2. It has low on-resistance of 4mOhms. 3. It is suitable for high power applications. 4. It has a TO-220 package for easy mounting. 5. It has a gate threshold voltage of 1V. 6. It is designed for efficient power management in various electronic circuits. -
Pinout
The IPG20N04S4-12 is a 12-pin power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a current rating of 20A and a voltage rating of 40V. It is commonly used in power electronics applications. The pin functions typically include gate, emitter, collector, and various auxiliary pins for voltage sensing and temperature monitoring. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPG20N04S4-12 is Infineon Technologies. They are a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensors, and microcontrollers. Infineon Technologies is a global company that provides innovative solutions for a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPG20N04S4-12 is commonly used in applications such as high-frequency switching power supplies, DC-DC converters, motor drive circuits, and inverters. It is also suitable for use in automotive systems, industrial drives, and power management systems due to its high efficiency and low on-state resistance. -
Package
The IPG20N04S4-12 chip is in a TO-220AB package, in a single form (individual chip), and has a size of 10.4mm x 4.6mm x 10.9mm.
Datenblatt PDF
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Infineon Technologies Corporation
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...
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