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Infineon IPP60R074C6

Infineon MOSFET Transistor IPP60R074C6"

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IPP60R074C6

Datenblatt: IPP60R074C6 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3600 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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IPP60R074C6 Allgemeine Beschreibung

The IPP60R074C6 is a 600V CoolMOS C6 series power MOSFET designed for a variety of high-efficiency applications such as power supplies, lighting, and motor control. It has a maximum drain-source voltage of 600V and a continuous drain current of 30A, making it suitable for high-power applications.This MOSFET features ultra-low on-state resistance (Rds(on)) of 0.074 ohms, which allows for reduced power losses and improved efficiency in power conversion systems. It also has a low gate charge of 36nC, ensuring fast switching speeds and minimal switching losses.The IPP60R074C6 is housed in a TO-220 package, which provides efficient thermal dissipation and allows for easy mounting on a heatsink. It has a maximum operating temperature of 150 degrees Celsius, making it suitable for demanding industrial applications.

ipp60r074c6

Funktionen

  • N-channel power MOSFET
  • Designed for high current application
  • Low on-resistance
  • Enhanced efficiency
  • High switching speed
  • Low gate charge
  • Compatible with standard level logic
  • High energy efficiency
  • ESD protection
  • RoHS compliant

Anwendung

  • Industrial automation systems
  • Electrical drives
  • Renewable energy systems
  • Power supplies
  • Automotive systems
  • Motor control applications
  • Switching power supplies
  • DC/DC converters
  • Welding equipment
  • Battery chargers

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 57.7 A Rds On - Drain-Source Resistance 67 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 138 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 480.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename CoolMOS
Series CoolMOS C6 Brand Infineon Technologies
Configuration Single Fall Time 4 ns
Height 15.65 mm Length 10 mm
Product Type MOSFET Rise Time 7 ns
Factory Pack Quantity 500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 56 ns
Typical Turn-On Delay Time 11 ns Width 4.4 mm
Part # Aliases IPP6R74C6XK SP000898652 IPP60R074C6XKSA1

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Äquivalente Teile

Für den IPP60R074C6 Komponente, Sie könnten diese Ersatz- und Alternativteile in Betracht ziehen:

Artikelnummer

Marken

Paket

Beschreibung

Artikelnummer :   IRFP4710PBF

Marken :  

Paket :   TO-247(AC)

Beschreibung :   MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.011Ω; ID 72A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20V

Artikelnummer :   IRFP460LC-ND

Marken :  

Paket :  

Beschreibung :  

Artikelnummer :   STP60NF06L

Marken :  

Paket :   TO-220

Beschreibung :   N-CHANNEL 60V - 0.012 Ohm - 60A TO-220 / TO-220FP / D2PAK STripFETTM II POWER MOSFET

Artikelnummer :   STP55NF06L

Marken :  

Paket :   TO-220

Beschreibung :   N CHANNEL MOSFET, 60V, 55A,Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:55A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V, No. of Pins:3 Power MOSFET

Artikelnummer :   FDP047AN08A0

Marken :  

Paket :  

Beschreibung :  

Teilpunkte

  • IPP60R074C6 is a power MOSFET semiconductor chip widely used in electronic devices for high-voltage applications. It offers low on-state resistance and high switching speeds, making it efficient for power management and control. The chip is designed for optimal performance in modern electronic systems requiring reliable and high-power operation.
  • Equivalent

    The equivalent products of IPP60R074C6 chip are IPP60R074C7, IPP60R074CP, IPP60R190C6, IPP60R190C7, IPP60R190CP, and IPP60R190P7. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    1. N-channel power MOSFET 2. 600V drain-source voltage 3. 60A continuous drain current 4. Low switching losses 5. 1.4V gate threshold voltage 6. Optimized for high-frequency applications 7. Excellent thermal performance 8. Suitable for motor drives, inverters, and industrial applications.
  • Pinout

    The IPP60R074C6 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is commonly used in power supply applications due to its high voltage and current handling capabilities.
  • Manufacturer

    The IPP60R074C6 is manufactured by Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of a wide range of semiconductor products for various applications, including automotive, industrial, and power management. They are known for their high-quality and innovative products in the industry.
  • Application Field

    The IPP60R074C6 is a power MOSFET suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and audio amplifiers due to its high efficiency, low on-resistance, and robust construction.
  • Package

    The IPP60R074C6 chip is a Power MOSFET transistor in a TO-220 package type. It is in a through-hole form with a size of 10.4mm x 4.1mm x 9.7mm.

Datenblatt PDF

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