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Infineon IRF640NSPBF 48HRS

This product, IRF640NSPBF, is an N-channel D2PAK MOSFET rated for 200 volts and 18 amps, with a power rating of 150 watts

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: IRF640NSPBF

Datenblatt: IRF640NSPBF Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-252-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2467 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $0,409 $0,409
200 $0,158 $31,600
500 $0,152 $76,000
1000 $0,151 $151,000

In Stock:2467 PCS

- +

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IRF640NSPBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK

irf640nspbf

Funktionen

  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • High current capability
  • Enhanced avalanche energy capability
  • Low input and output capacitance to reduce switching losses
  • Logic-level gate drive compatibility for easy interfacing
  • Halogen-free and RoHS compliant
  • TO-262 package for easy mounting

Anwendung

  • Switching applications in power supplies
  • DC-DC converters
  • Motor control
  • Automotive systems
  • Industrial automation
  • LED lighting
  • Solar inverters
  • Battery management systems
  • Voltage regulators
  • Electronic ballasts

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case TO-252-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V
Id - Continuous Drain Current 18 A Rds On - Drain-Source Resistance 150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Qg - Gate Charge 44.7 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 175 C
Pd - Power Dissipation 150 W Channel Mode Enhancement
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 5.5 ns Height 2.3 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Rise Time 19 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type HEXFET Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 23 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns Width 6.22 mm
Part # Aliases SP001554094

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRF640NSPBF chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high voltage applications. It has a drain-source voltage rating of 200V and a continuous drain current of 18A. The chip features low on-resistance and is suitable for a wide range of power applications, including switching and amplification in various electronic circuits.
  • Equivalent

    Some possible equivalent products for the IRF640NSPBF chip are the IRFP640 and IRF640N. These chips are known for their similar electrical characteristics and compatibility with various applications.
  • Features

    Some features of the IRF640NSPBF MOSFET include a voltage rating of 200V, a current rating of 18A, and a low on-resistance of 0.18Ω. It also has a fast switching speed, making it suitable for power switching applications. The package type is TO-220.
  • Pinout

    IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 3 and is commonly used in applications such as motor control, high-power audio amplifiers, and switching power supplies. The three pins are Gate, Drain, and Source, which control the flow of current through the device.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF640NSPBF is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer, specializing in the production of power semiconductor components and modules.
  • Application Field

    The IRF640NSPBF is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switching power supplies, motor control, and audio amplifiers. It is designed to handle high voltage and current, making it suitable for various industrial and electronic applications where efficient power switching is required.
  • Package

    The IRF640NSPBF chip is packaged in a TO-263-3 (D2PAK) form with a size of 10.46mm x 9.15mm x 4.57mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IRF640NSPBF PDF Herunterladen

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