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Infineon IRF8301MTRPBF
A 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MT package rated at 34 amperes optimized with low on resistance., DIRECTFET, RoHS
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IRF8301MTRPBF
Datenblatt: IRF8301MTRPBF Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: DirectFET™ Isometric MT
Produktart: Diskrete Halbleiter
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3835 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMIRF8301MTRPBF Allgemeine Beschreibung
Benefits: Ultra-low RDS(on); Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling Compatible; Ultra-low Package Inductance; Optimized for high speed switching or high current switch (Power Tool); Low Conduction and Switching Losses; Compatible with existing Surface Mount Techniques; StrongIRFET | Target Applications: Battery Operated Drive; Battery Protection; eFuse; Full-Bridge; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; ORing; Point of Load SyncFET; Push-Pull
Funktionen
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
- Dual-side cooling capability
- Low package height of 0.7mm
- Low parasitic (1-2 nH) inductance package
- 100% lead-free (No RoHS exemption)
Anwendung
- LED
- Motor control
- Notebook
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Source Content uid | IRF8301MTRPBF |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 52 Weeks |
| Samacsys Manufacturer | Infineon | Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 260 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
| Drain Current-Max (ID) | 34 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0015 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-XBCC-N3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | CHIP CARRIER |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 89 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 250 A | Surface Mount | YES |
| Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | BOTTOM |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Series | HEXFET® | Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Ta), 192A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 32A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6140 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
| Package / Case | DirectFET™ Isometric MT |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
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 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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