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Infineon IRFB3307ZPBF 48HRS

Trans MOSFET N-CH Si 75V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon Technologies Corporation

Herstellerteil #: IRFB3307ZPBF

Datenblatt: IRFB3307ZPBF Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220AB

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2888 Stück, Neues Original

Produktart: Transistoren

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,101 $1,101
10 $0,920 $9,200
50 $0,821 $41,050
100 $0,710 $71,000
500 $0,660 $330,000
1000 $0,637 $637,000

In Stock:2888 PCS

- +

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IRFB3307ZPBF Allgemeine Beschreibung

N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

irfb3307zpbf

Funktionen

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

Anwendung

  • Battery powered applications
  • Power tools
  • DC motor drives
  • Light Electric Vehicles (LEV)
  • SMPS

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Source Content uid IRFB3307ZPBF
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES AG Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 53 Weeks, 1 Day
Samacsys Manufacturer Infineon Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 75 V Drain Current-Max (ID) 120 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0058 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 230 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 480 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power converter circuits, motor drives, and other demanding electronic systems. It is commonly used in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics for efficient power control and management.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IRFB3307ZPBF chip are the IRFB3307PBF, IRFB3307Z, and IRFS3307ZPBF. These chips offer similar specifications and can be used as alternatives to the IRFB3307ZPBF in various applications.
  • Features

    The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 75 volts, a maximum continuous drain current of 120 amps, and a low on-resistance of 24 milliohms. It is designed for use in various high power applications like motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET transistor with a TO-220AB package. It has 3 pins - gate (G), drain (D), and source (S). It functions as a switch or amplifier for high-current applications in power electronics, such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the IRFB3307ZPBF. It is a German multinational semiconductor company.
  • Application Field

    The IRFB3307ZPBF is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and automotive systems. It offers low on-resistance and high performance, making it suitable for applications that require high power handling and efficiency.
  • Package

    The IRFB3307ZPBF chip has a TO-220AB package type, a through-hole form, and a size of approximately 10.29mm x 17.9mm x 4.83mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation IRFB3307ZPBF PDF Herunterladen

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