Infineon IRFS4310ZTRLPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: IRFS4310ZTRLPBF
Datenblatt: IRFS4310ZTRLPBF Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: D2PAK
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6000 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1 | $1,759 | $1,759 |
10 | $1,551 | $15,510 |
30 | $1,420 | $42,600 |
100 | $0,988 | $98,800 |
500 | $0,927 | $463,500 |
800 | $0,901 | $720,800 |
In Stock:6000 PCS
IRFS4310ZTRLPBF Allgemeine Beschreibung
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standards
- Normal level : Optimized for 10V gate drive voltage
- Industry standard surface-mount power package
- High-current carrying capability package (upto 195A, die-size dependent)
- Capable of being wave-soldered
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Source Content uid | IRFS4310ZTRLPBF |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 130 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 120 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.006 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-263AB | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 250 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 560 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN OVER NICKEL |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Datenblatt PDF
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