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IXFN82N60Q3
Ideal for industrial control systems, motor drives, and power supplies, this HiPerFET Pwr MOSFET offers superior reliability and efficienc
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN82N60Q3
Datenblatt: IXFN82N60Q3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $55,378 | $55,378 |
| 200 | $21,432 | $4286,400 |
| 500 | $20,678 | $10339,000 |
| 1000 | $20,306 | $20306,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN82N60Q3 Allgemeine Beschreibung
With its proven track record of exceptional performance and enhanced device ruggedness, the Q3-Class series MOSFETs represent a top choice for those seeking reliable power switching solutions. The broad range of drain-to-source voltage ratings and drain current ratings available within this series ensures that users can find the perfect device for their specific application requirements. The combination of low on-state resistance (Rdson) and gate charge (Qg) in the Q3-Class series results in superior efficiency and reduced losses during power switching operations. The utilization of the HiPerFETTM process further enhances the capabilities of the device, providing users with a reliable and efficient solution for their power management needs
Funktionen
- Enhanced Power Cycling Reliability
- Low Voltage Threshold Performance
- High Temperature Operating Range
Anwendung
- Efficient power supply
- Compact design
- Reliable performance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Chassis Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Series: | IXFN82N60 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
| Number of Channels: | 1 Channel | Pd - Power Dissipation: | 960 W |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms |
| Rise Time: | 300 ns | Factory Pack Quantity: | 10 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFN82N60Q3 is a high-power MOSFET chip designed for use in high voltage applications. It has a breakdown voltage of 600V and a current rating of 82A, making it ideal for power supplies, motor control, and other high-power electronics. The chip offers low on-state resistance and high switching speed for efficient operation.
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Equivalent
Some equivalent products of IXFN82N60Q3 chip are Infineon IPW65R019C7, Fairchild FDB85965, and Vishay SIHGAP60N60E. These are also power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
IXFN82N60Q3 is a fast switching N-channel power MOSFET with a high power handling capability of 82A and 600V. It has a low on-resistance of 0.065 ohms, making it efficient for high power applications. The MOSFET also has a compact TO-268 package with a lead-free design for environmentally friendly applications. -
Pinout
IXFN82N60Q3 is a power MOSFET with a TO-268 package, having 3 pins: gate, drain, and source. It is designed for high-speed switching and high-power applications due to its low on-resistance and fast switching speed. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN82N60Q3. It is a global semiconductor company that designs, develops, and manufactures power semiconductors used in a wide range of applications, including industrial, automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in providing high-performance power conversion and power management solutions. -
Application Field
IXFN82N60Q3 is a N-channel power MOSFET designed for high voltage applications. It is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high voltage switching applications. Its high efficiency, low on-resistance, and high current carrying capacity make it suitable for a wide range of industrial and automotive applications. -
Package
The IXFN82N60Q3 chip comes in a TO-247 package type, with a single form that is through-hole mounted. The size of the chip is approximately 25.4mm x 10.4mm x 3mm.
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