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IXSH24N60AU1

IGBT and Diode Combination Pack

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Ixys

Herstellerteil #: IXSH24N60AU1

Datenblatt: IXSH24N60AU1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247AD-3

Produktart: Single IGBTs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.485 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXSH24N60AU1 Allgemeine Beschreibung

When it comes to power electronics, the IXSH24N60AU1 is a standout choice for high-speed MOSFET power transistors. Boasting a high current rating of 24A and a voltage rating of 600V, this transistor is optimized for demanding power conversion applications such as switch mode power supplies and motor controls. Its advanced silicon technology delivers efficiency and reliability, while the low on-resistance of 0.24 ohms minimizes heat dissipation for energy-efficient performance. The fast switching speed of the IXSH24N60AU1 enables high-frequency operation, reducing switching losses and enhancing overall efficiency. Housed in a TO-247 package, this transistor offers superior thermal performance and power dissipation capabilities for reliable operation in challenging environments. With features like overcurrent protection and overtemperature shutdown, the IXSH24N60AU1 ensures safe and secure operation across various power electronics applications

Funktionen

  • Fast switching speed
  • High current handling capability

Anwendung

  • Emerging Technologies
  • Green Energy Initiatives
  • Reliable Power Conversion

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247AD-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series IXSH24N60 Brand IXYS
Continuous Collector Current Ic Max 48 A Height 21.46 mm
Length 16.26 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 30 Subcategory IGBTs
Width 5.3 mm

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXSH24N60AU1 is a high voltage and high-speed power MOSFET that is commonly used in power electronics applications. With a voltage rating of 600V and a current rating of 24A, this chip is suitable for a wide range of switching and amplification tasks. Its advanced design allows for efficient power handling and improved performance in various applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXSH24N60AU1 chip are IXSH24N60UF1, IXSH24N60BU1, IXSH24N60BU1, and IXSH24N60UF1. These chips are all high voltage power transistors with similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for each other in various electronic applications.
  • Features

    1. Low on-resistance of 0.18 ohms 2. High voltage of 600V 3. Avalanche energy rated at 662mJ 4. Fast switching speed 5. High reliability and ruggedness 6. Designed for high power applications 7. TO-247 package for easy mounting 8. RoHS compliant and lead-free
  • Pinout

    The IXSH24N60AU1 has 3 pins (Gate, Drain, Source) and functions as a high-speed, rugged, and efficient IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a 600V rating and a continuous collector current of 24A. It is designed for power electronics applications requiring high efficiency and reliability.
  • Manufacturer

    IXYS Corporation is the manufacturer of the IXSH24N60AU1. It is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets power semiconductors, radio-frequency (RF) power semiconductors, and digital and analog integrated circuits. They serve a wide range of markets including automotive, industrial, consumer, and communication sectors.
  • Application Field

    The IXSH24N60AU1 can be used in a variety of applications such as power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial equipment. This MOSFET module is designed for high-speed switching and efficient power control in these applications, making it ideal for use in a wide range of industries.
  • Package

    The IXSH24N60AU1 chip is available in a TO-247 package type with a single form and size of 10.54mm x 15.87mm.

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