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$5000NXP MRFE6VP5600HSR5
RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS
Marken: NXP Semiconductor
Herstellerteil #: MRFE6VP5600HSR5
Datenblatt: MRFE6VP5600HSR5 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: NI-1230S
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.454 Stück, Neues Original
Produktart: RF FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $143,951 | $143,951 |
200 | $55,707 | $11141,400 |
500 | $53,751 | $26875,500 |
1000 | $52,784 | $52784,000 |
Auf Lager: 2.454 Stck
MRFE6VP5600HSR5 Allgemeine Beschreibung
RF Mosfet 50 V 100 mA 230MHz 25dB 600W NI-1230-4S
Funktionen
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 VSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 130 V |
Operating Frequency: | 1.8 MHz to 600 MHz | Gain: | 25 dB |
Output Power: | 600 W | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | NI-1230S |
Packaging: | Reel | Brand: | NXP Semiconductors |
Configuration: | Dual | Pd - Power Dissipation: | 1.667 kW |
Product Type: | RF MOSFET Transistors | Series: | MRFE6VP5600H |
Factory Pack Quantity: | 50 | Subcategory: | MOSFETs |
Type: | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V | Part # Aliases: | 935319677178 |
Unit Weight: | 0.299419 oz |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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