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ON NDT451AN

Transistor N-MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Onsemi

Herstellerteil #: NDT451AN

Datenblatt: NDT451AN Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-223-4

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3794 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

BOM

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NDT451AN Allgemeine Beschreibung

MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 3W

ndt451an

Funktionen

  • 7.2A, 30V
    RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS = 10V
    RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS = 4.5V
  • High density cell design for extremely low RDS(ON)
  • High power and current handling capability in a widely used surface mount package

Anwendung

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-223-4
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 7.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 30 nC
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 3 W Channel Mode Enhancement
Series NDT451AN Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 11 S Height 1.8 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Rise Time 13 ns Factory Pack Quantity 4000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 29 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns Width 3.5 mm
Part # Aliases NDT451AN_NL

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The NDT451AN chip is a Non-Destructive Testing (NDT) integrated circuit designed for industrial applications. It offers high-precision measurements for material thickness, corrosion, conductivity, and flaw detection through eddy current and impedance measurements. With its compact size and low power consumption, the NDT451AN chip is suitable for use in various sectors, including aerospace, automotive, and manufacturing industries.
  • Features

    The NDT451AN is an N-channel Trench MOSFET with a low on-resistance and a high current rating. It has a voltage rating of 30V, a continuous current rating of 67A, and a power dissipation rating of 43W. It is designed for use in a wide range of applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters.
  • Pinout

    The NDT451AN is an 8-pin integrated circuit. It is a N-channel, enhancement-mode power MOSFET with a drain-source voltage rating of 500V, drain current capability of 3.5A, and low on-resistance. The pin count and function are as follows: Pin 1: Gate, Pin 2 & 3: Drain, Pin 4: Source, Pins 5-8: Not Connected.
  • Application Field

    The NDT451AN, a type of non-destructive testing (NDT) sensor, is commonly used in application areas such as quality control and inspection of welded joints, pipelines, and structural elements in various industries including aerospace, automotive, oil and gas, and civil engineering. Its advanced technology allows for accurate and reliable detection of defects and abnormalities without causing damage to the tested materials.
  • Package

    The NDT451AN chip has a BGA package type, with dimensions of approximately 4.5mm x 3.2mm x 0.75mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation NDT451AN PDF Herunterladen

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