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$5000ON NJVMJD253T4G
onsemi 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
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Marken: ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #: NJVMJD253T4G
Datenblatt: NJVMJD253T4G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: DPAK-3
Produktart: Single Bipolar Transistors
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.874 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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NJVMJD253T4G Allgemeine Beschreibung
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications.
Funktionen
- Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc - High DC Current Gain
hFE = 40 (Min) @ IC= 200 mAdc
hFE= 15 (Min) @ IC = 1.0 Adc - Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
- Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)
- Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix)
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc - High Current-Gain-Bandwith Product -
fT = 40MHz (Min) @ IC = 100 mAdc - Annular Construction for Low Leakage -
ICBO = 100 nAdc @ Rated VCB - NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- These are PbFree Packages
Anwendung
ONSEMISpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Tags | NJVMJD2, NJVMJD, NJVM, NJV |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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