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vishay SI2333CDS-T1-GE3
Form Factor: Packaged in a compact SOT-23-3 package, this MOSFET offers space-saving benefits and ease of integration into circuit designs
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI2333CDS-T1-GE3
Datenblatt: SI2333CDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,358 | $0,358 |
| 10 | $0,285 | $2,850 |
| 30 | $0,253 | $7,590 |
| 100 | $0,215 | $21,500 |
| 500 | $0,198 | $99,000 |
| 1000 | $0,187 | $187,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SI2333CDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:7.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V; Power Dissipation:2.5W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No |Vishay SI2333CDS-T1-GE3.
Funktionen
Anwendung
Load Switch |PA SwitchSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V |
| Id - Continuous Drain Current | 7.1 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 12 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 35 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3 |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SI2333CDS-T1-GE3 is a chip/semiconductor used in electronic devices. It is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that can switch high currents. The chip is designed to enhance performance while reducing power consumption in various applications such as power management, battery chargers, and DC-DC converters. It offers high efficiency, compact size, and low on-resistance for improved electrical performance in electronic circuits.
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Features
SI2333CDS-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET with a drain-source voltage rating of -20V. It has a low on-resistance, fast switching speed, and is suited for low power applications. Additionally, it has thermal protection and is RoHS compliant. -
Pinout
The SI2333CDS-T1-GE3 has a pin count of 6 and is a P-Channel MOSFET. Its function is to provide high-speed switching and efficient power management in various electronic applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2333CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the design, production, and distribution of power MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) and other electronic components. -
Application Field
The SI2333CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET that can be used in various applications such as power management, load switching, battery charging, and portable devices. It offers low voltage and low on-resistance, making it suitable for applications that require efficient power control and handling. -
Package
The SI2333CDS-T1-GE3 chip has a package type of SOT-23, a form of reel, and a small size.
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