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$5000vishay SISS71DN-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SISS71DN-T1-GE3
Datenblatt: SISS71DN-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PowerPAK-1212-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SISS71DN-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
Mosfet, P-Ch, -100V, -23A, Powerpak1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-23A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(On):0.047Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; Rohs Compliant: Yes |Vishay SISS71DN-T1-GE3
Funktionen
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 23 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 47 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V | Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 50 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 57 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | ThunderFET, PowerPAK | Series: | SIS |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 11 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S | Height: | 1.04 mm |
| Length: | 3.3 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 30 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Width: | 3.3 mm | Unit Weight: | 0.032487 oz |
| Series | ThunderFET® | Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1050 pF @ 50 V |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8S |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8S |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SISS71DN-T1-GE3 is a high-speed, low-loss power switch designed for use in electronic devices such as smartphones, tablets, and laptops. It offers efficient power conversion and thermal performance, helping to extend battery life and reduce heat generation in portable devices. This chip is designed to meet the power management needs of modern, energy-efficient electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SISS71DN-T1-GE3 chip are SI4505DY-T1-E3, IRF7862PBF, and SPD03N60C3. -
Features
SISS71DN-T1-GE3 is a power MOSFET with a low on-resistance of 12.9mΩ, designed for high-efficiency power management applications. It features a compact PQFN package, a voltage rating of 40V, and a maximum drain current rating of 71A. It is suitable for use in a wide range of power conversion and motor control applications. -
Pinout
SISS71DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a DFN4040-8 package. It has a pin count of 8 including 2 source pins, 2 gate pins, and 4 drain pins. The function of this device is to control the flow of current between the source and drain pins based on the voltage applied to the gate pins. -
Manufacturer
Vishay Semiconductors is the manufacturer of SISS71DN-T1-GE3. It is a global company that specializes in the design and production of electronic components, including discrete semiconductors, diodes, and MOSFETs for various industries such as automotive, industrial, and telecommunications. -
Application Field
SISS71DN-T1-GE3 is commonly used in power management systems, motor control applications, and industrial automation. It can also be utilized in solar inverters, switch mode power supplies, and LED lighting. Its high efficiency, low on-resistance, and robust construction make it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The SISS71DN-T1-GE3 chip is a dual N-channel MOSFET in a Surface Mount PowerPAK package. It has a form factor of DFN, with a size of 2mm x 2mm x 0.57mm.
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