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Infineon SPP11N65C3

High voltage N-channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: SPP11N65C3

Datenblatt: SPP11N65C3 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3426 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SPP11N65C3 Allgemeine Beschreibung

SPP11N65C3 is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power transistor designed for high performance and efficiency in power applications. It has a maximum drain-source voltage (VDS) of 650V and a continuous drain current (ID) of 11A. The on-state resistance (RDS(on)) is typically 0.5 ohms, which helps to minimize power losses and improve efficiency.This MOSFET also features a fast switching speed, which makes it suitable for applications that require high-frequency operation. The gate charge (Qg) is around 49nC, ensuring quick and reliable switching performance.The SPP11N65C3 is housed in a TO-220 package, which provides thermal stability and easy mounting on a PCB. It also has a low thermal resistance, which helps to dissipate heat efficiently and maintain a stable operating temperature.

spp11n65c3

Funktionen

  • 650V breakdown voltage
  • 11A continuous drain current
  • Low on-resistance of 0.65 ohms
  • High-speed switching performance
  • Enhanced switching reliability
  • Low gate charge for efficient operation
spp11n65c3

Anwendung

  • Switched-mode power supplies
  • Motor control applications
  • Lighting systems
  • Consumer electronics
  • Industrial applications
  • Automotive systems
  • Power factor correction
  • Solar inverters
  • UPS (Uninterruptible Power Supplies)
  • High power density converters

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
RthJC max 1.0 K/W VGS(th) max 3.9 V
VGS(th) min 2.1 V IDpuls max 33.0 A
RthJA max 62.0 K/W Operating Temperature min -55.0 °C
Ptot max 125.0 W VDS max 650.0 V
Mounting THT Mode Enhancement
Package TO-220 Polarity N
ID max 11.0 A

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

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  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

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  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SPP11N65C3 chip is a power MOSFET designed for high-performance applications. It offers low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for various power management tasks. The chip has a voltage rating of 650V and can handle current up to 11A. It is commonly used in industrial and automotive applications where efficient power control is required.
  • Features

    SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor that offers a low on-resistance and high switching performance. It has a drain-source voltage of 650V, a maximum drain current of 11A, and a minimum threshold voltage of 3V. The transistor is suitable for various power applications such as motor control, high-frequency converters, and power supplies.
  • Pinout

    The SPP11N65C3 is a power MOSFET with a TO-220 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching action, while the Drain and Source pins handle the flow of current. This MOSFET is designed for high-power applications.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the SPP11N65C3. It is a German semiconductor manufacturing company specializing in the production of power semiconductors and system solutions.
  • Application Field

    The SPP11N65C3 is a power MOSFET transistor primarily used in high-performance switching applications such as power supplies, motor control, and inverter systems.
  • Package

    The package type of the SPP11N65C3 chip is TO220-3 MOSFET. The form of the chip is through-hole. The size of the chip is approximately 10.67 mm x 9.78 mm x 4.83 mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation SPP11N65C3 PDF Herunterladen

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