Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt!

Microchip VN0106N3

MOSFET 60V 3Ohm

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: microchip

Herstellerteil #: VN0106N3

Datenblatt: VN0106N3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-92-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.804 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Schnelle Anfrage

Bitte senden Sie eine Anfrage für VN0106N3 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

VN0106N3 Allgemeine Beschreibung

Advanced DMOS TechnologyThese enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Features❏ Free from secondary breakdown❏ Low power drive requirement❏ Ease of paralleling❏ Low CISS and fast switching speeds❏ Excellent thermal stability❏ Integral Source-Drain diode❏ High input impedance and high gain❏ Complementary N- and P-channel devicesApplications❏ Motor controls❏ Converters❏ Amplifiers❏ Switches❏ Power supply circuits❏ Drivers (relays, hammers, solenoids, lamps, memories, displays, bipolar transistors, etc.)

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category MOSFET RoHS N
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-92-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
Id - Continuous Drain Current 350 mA Rds On - Drain-Source Resistance 3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1 W
Channel Mode Enhancement Brand Microchip Technology
Configuration Single Fall Time 5 ns
Height 5.33 mm Length 5.21 mm
Product Type MOSFET Rise Time 5 ns
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type FET
Typical Turn-Off Delay Time 6 ns Typical Turn-On Delay Time 3 ns
Width 4.19 mm

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

Bewertungen und Rezensionen

Bewertungen
Bitte bewerten Sie das Produkt!
Bitte geben Sie einen Kommentar ein

Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

Einreichen

Empfehlen

  • APT5010LVRG

    APT5010LVRG

    Microchip Technology, Inc

    Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tub...

  • APT20M22JVR

    APT20M22JVR

    Microchip

    End of Life projected: 2048-10-03

  • APT5010JFLL

    APT5010JFLL

    Microchip Technology, Inc

    Trans MOSFET N-CH 500V 41A 4-Pin SOT-227 Tube

  • TN2524N8-G

    TN2524N8-G

    Microchip

    TN2524N8-G is a N-type MOSFET designed to handle u...

  • DN3525N8-G

    DN3525N8-G

    Microchip

    Tape and Reel Packaged Silicon N-channel Transisto...

  • SG2823L

    SG2823L

    MICROCHIP

    Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 95...