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Infineon BSC026N08NS5ATMA1

Transistor MOSFET N-channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC026N08NS5ATMA1

Datenblatt: BSC026N08NS5ATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3803 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC026N08NS5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC026N08NS5ATMA1 is a Power MOSFET transistor produced by Infineon Technologies AG. It is a N-channel enhancement mode device with a drain-source voltage (VDS) of 80V and a continuous drain current (ID) of 100A. The transistor is housed in a TO-252 package and has a low on-resistance of 2.6mΩ, making it suitable for a wide range of high power applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.The BSC026N08NS5ATMA1 features a gate threshold voltage (VGS(th)) of 2V and a gate-source voltage (VGS) of ±20V, improving its compatibility with standard drive circuits. The transistor has a maximum junction temperature of 175°C and a thermal resistance junction-to-ambient of 62°C/W.The BSC026N08NS5ATMA1 is designed for high efficiency and reliability, with a rugged silicon design ensuring robust performance in harsh environments. Infineon's advanced packaging technology also enhances thermal performance, allowing for efficient heat dissipation during operation.

bsc026n08ns5atma1

Funktionen

  • 800 V N-channel power MOSFET
  • 8 mΩ max. on-state resistance
  • 26 A continuous drain current
  • 100% avalanche tested
  • Low Qg and Qrr for high efficiency
  • Optimized for synchronous rectification
  • TO-220 package with low thermal resistance
bsc026n08ns5atma1

Anwendung

  • Automotive
  • Industrial
  • Power management systems
  • Motor control applications
  • Robotics
  • Renewable energy systems
  • Battery management systems
  • Electronic speed controllers
  • Uninterruptible power supplies
  • Switched-mode power supplies

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 5x6 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr V76 productClassification ASP
productStatusInfo active and preferred hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001154276
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-6 rohsCompliant yes
opn BSC026N08NS5ATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP001154276

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC026N08NS5ATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for various applications. It offers a low on-resistance and high efficiency, making it suitable for power management and control circuitry. With its compact size and excellent thermal performance, this chip provides reliable and efficient operation in a wide range of electronic devices.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSC026N08NS5ATMA1 chip include the BSC007N06NS5ATMA1, BSC015N04NS5ATMA1, and BSC061N03NS5ATMA1. These chips have similar characteristics and can be used as substitutes for the BSC026N08NS5ATMA1 in various electronic applications.
  • Features

    The BSC026N08NS5ATMA1 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 80V and a current rating of 142A. It has a low on-resistance of 2.6mΩ and a gate charge of 30nC. The transistor is designed for high-power applications, offering efficient switching performance and low power dissipation.
  • Pinout

    The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and battery management systems. The specific functions of each pin include gate, source, and drain connections for controlling the flow of current through the device.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC026N08NS5ATMA1. It is a German company specializing in semiconductor solutions, including power management, sensors, and automotive electronics.
  • Application Field

    The BSC026N08NS5ATMA1 is a power MOSFET and can be used in various applications including power supplies, motor control, and automotive electronics. It is particularly suitable for applications that require high power density, low on-resistance, and high efficiency.
  • Package

    The BSC026N08NS5ATMA1 chip has a package type known as power-smd. It comes in a 8mm x 8mm format with a thickness of approximately 1.45mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSC026N08NS5ATMA1 PDF Herunterladen

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