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Infineon BSC028N06NSTATMA1 48HRS

Transistor MOSFET N-Channel 60V 24A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC028N06NSTATMA1

Datenblatt: BSC028N06NSTATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

RoHS-Status:

Lagerzustand: 2588 Stück, Neues Original

Produktart: Andere Komponenten

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $1,424 $1,424
10 $1,216 $12,160
30 $1,099 $32,970
100 $0,970 $97,000
500 $0,913 $456,500
1000 $0,886 $886,000

In Stock:2588 PCS

- +

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BSC028N06NSTATMA1 Allgemeine Beschreibung

The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel 60V Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. This MOSFET is part of the OptiMOS™ 5 family and is designed for high-performance power electronics applications.The BSC028N06NSTATMA1 has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current rating of 130A. This makes it suitable for a wide range of power supply, motor control, and automotive applications where high power handling capabilities are required.This MOSFET features an ultra-low ON-state resistance of 2.8 mΩ, which helps to minimize power losses and improve efficiency in applications where high current is being switched.The BSC028N06NSTATMA1 also features a strong gate charge profile, allowing for fast and efficient switching performance. This makes it ideal for applications that require high frequency switching or rapid response times.In addition, the BSC028N06NSTATMA1 is housed in a TO-220 package, which provides excellent thermal performance and reliability. This package is also compatible with standard through-hole PCB mounting techniques, making it easy to integrate into existing designs.

bsc028n06nstatma1

Funktionen

  • N-channel MOSFET
  • Optimized for synchronous rectification
  • Low on-resistance
  • High power efficiency
  • Fast switching speed
  • Low gate charge
  • Avalanche-rated
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • Lead (Pb)-free

Anwendung

  • Automotive applications
  • Industrial automation
  • Power management systems
  • Motor control systems
  • Robotics

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo RoHS compliant, tape&reel, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr Y17 productClassification ASP
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP001666498
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-7 rohsCompliant yes
opn BSC028N06NSTATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP001666498

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC028N06NSTATMA1 chip is a N-channel power MOSFET developed by Infineon Technologies. It is designed for low voltage automotive applications, such as powertrain systems and body electronics. The chip offers high efficiency and low on-resistance, making it suitable for high-current applications. It also includes a built-in protective feature to prevent damage from overcurrent and overtemperature conditions.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC028N06NSTATMA1 chip include the BSC027N06NSTATMA1, BSC029N06NSTATMA1, and BSC030N06NSTATMA1 chips, all of which are manufactured by Infineon Technologies.
  • Features

    The BSC028N06NSTATMA1 is a N-channel enhancement mode power MOSFET. It features a drain-source voltage rating of 60 volts and a continuous drain current of 74 amperes. It has a low on-resistance of 2.8 milliohms, making it suitable for high current applications. The MOSFET also offers a robust design and excellent thermal performance.
  • Pinout

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET with a TO-252 package. It has three pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. The Drain pin carries the load current, and the Source pin is connected to the source of the MOSFET's internal transistor.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC028N06NSTATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors.
  • Application Field

    The BSC028N06NSTATMA1 is a power MOSFET commonly used in various applications such as power supplies, motor controls, automotive systems, and industrial equipment. It is ideally suited for high current applications due to its low on-resistance and high efficiency.
  • Package

    The BSC028N06NSTATMA1 chip is a power MOSFET with a TO-220 package type. It has a through-hole form and a size of TO-220-3-1.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSC028N06NSTATMA1 PDF Herunterladen

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