Infineon BSC046N10NS3G
Infineon BSC046N10NS3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC046N10NS3G
Datenblatt: BSC046N10NS3G Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: QFN-8 5X6
Produktart: INFINEON
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3843 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BOMBSC046N10NS3G Allgemeine Beschreibung
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
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Source Content uid | BSC046N10NS3G | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
Package Description | GREEN, PLASTIC, SUPERSO8, TDSON-8 | Pin Count | 8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 350 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 100 V | Drain Current-Max (ID) | 17 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0046 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-N8 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. | |
Western Union | charge US.00 banking fee. | |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC046N10NS3G is a power MOSFET chip from Infineon Technologies. It is designed for various applications and offers a low on-resistance and high power capability. The chip features a low switching and conduction losses, making it efficient in power management systems. With its compact size and high performance, the BSC046N10NS3G chip is suitable for a wide range of power electronics applications.
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Equivalent
BSC046N10NS3G chip does not have any direct equivalent products. The chip, produced by Infineon Technologies, is a N-channel power MOSFET designed for applications such as motor control and DC-DC conversion. -
Features
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 46A. It has a low ON resistance, high power dissipation capability, and is suitable for various applications such as power tools, motor control, and power supplies. -
Pinout
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor. It has a pin count of 2 (Drain and Source) and is commonly used for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the BSC046N10NS3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and designing a wide range of electronic components and systems. It offers products for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics, among others. -
Application Field
The BSC046N10NS3G is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas, including power supplies, motor control, automotive systems, and battery management. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and high-performance electronic systems. -
Package
The BSC046N10NS3G chip is available in a TO-220 package type, with a form of through-hole mounting. The package size is typically around 10.3mm in length, 9.5mm in width, and 4.6mm in height.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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