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Infineon BSC059N04LSG
N-Channel 40 V 16A (Ta), 73A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC059N04LSG
Datenblatt: BSC059N04LSG Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SUPERSO8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2943 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,987 | $0,987 |
| 10 | $0,842 | $8,420 |
| 30 | $0,762 | $22,860 |
| 100 | $0,673 | $67,300 |
| 500 | $0,560 | $280,000 |
| 1000 | $0,542 | $542,000 |
In Stock:2943 PCS
BSC059N04LSG Allgemeine Beschreibung
N-Channel 40 V 16A (Ta), 73A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | BSC059N04LSG | Pbfree Code | Yes |
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| Pin Count | 8 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | Avalanche Energy Rating (Eas) | 25 mJ |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 40 V | Drain Current-Max (ID) | 16 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0059 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F8 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 8 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 292 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | TIN | Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 73A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 23µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 20 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TDSON-8-5 |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC059N04LSG is a high-performance power MOSFET chip commonly used in electronic devices for switching applications. It offers low on-resistance and wide voltage tolerance, making it ideal for power supply and motor control applications. With its compact size and efficient performance, the BSC059N04LSG chip is a popular choice for various industrial and consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of BSC059N04LSG chip are FDP075N10A, CSD19536KTT, BSP075N10LSG, and IRF3205. These chips have comparable specifications and can be used as direct replacements for the BSC059N04LSG chip in various applications. -
Features
Some features of BSC059N04LSG are: - N-channel power MOSFET - Low on-resistance of 5.9 mΩ - Suitable for high current applications - 40V drain-source voltage - 180A continuous drain current - TO-263 package for easy mounting - Low gate charge for fast switching operations. -
Pinout
The BSC059N04LSG is a power MOSFET with a pin count of 10. The functions of the pins include gate (G), drain (D), source (S), and various power management features such as thermal pad and sense pins. It is designed for use in power supply, motor control, and other high-power applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSC059N04LSG. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the development and production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for automotive, industrial, and consumer applications. -
Application Field
The BSC059N04LSG is a power MOSFET transistor commonly used in automotive, industrial, and power management applications. It is suitable for use in high-frequency DC-DC converters, motor control systems, and battery management systems due to its high efficiency, low on-resistance, and high switching speed. -
Package
The BSC059N04LSG is a Power-SO8 package type with an N-channel power MOSFET form. The chip size is 5x6 mm.
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