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Infineon BSC066N06NSATMA1
Product BSC066N06NSATMA1 is a N-channel MOSFET capable of handling up to 60 volts and 15 amps
Marken: Infineon
Herstellerteil #: BSC066N06NSATMA1
Datenblatt: BSC066N06NSATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2160 Stück, Neues Original
Produktart: Transistoren
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,993 | $0,993 |
| 10 | $0,841 | $8,410 |
| 30 | $0,755 | $22,650 |
| 100 | $0,661 | $66,100 |
| 500 | $0,619 | $309,500 |
| 1000 | $0,599 | $599,000 |
In Stock:2160 PCS
BSC066N06NSATMA1 Allgemeine Beschreibung
The BSC066N06NSATMA1 is a Power MOSFET transistor from Infineon Technologies. It is an N-channel device with a voltage rating of 60V, a continuous drain current of 68A, and a low on-resistance of 6.6 mOhms. This MOSFET is designed for use in high-current applications such as motor control, power supplies, and battery management systems.The BSC066N06NSATMA1 features a TO-263 package which provides excellent thermal performance and allows for easy mounting to a heat sink. This package also helps to reduce the overall footprint of the device, making it ideal for space-constrained applications.This MOSFET is designed to operate at high frequencies and has a fast switching speed of 8.2ns. This, combined with its low on-resistance, results in reduced power losses and improved efficiency in high-power circuits.
Funktionen
- N-Channel MOSFET
- 66A continuous drain current
- 60V drain-source voltage
- 9.5mΩ RDS(on) at VGS = 10V
- Low gate charge
- Designed for high efficiency power management applications
- TO-220 package
- RoHS compliant
Anwendung
- Automotive applications
- Industrial machinery
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Motor drives
- Pulse width modulation (PWM) controllers
- Battery management systems
- Switched-mode power supplies
- DC-DC converters
- Power factor correction circuits
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | MS, RoHS compliant, non dry |
| packageNameMarketing | SuperSO8 5x6 | msl | 1 |
| halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
| fgr | U79 | productClassification | COM |
| productStatusInfo | active and preferred | hfgr | A |
| packageName | PG-TDSON-8 | pbFree | yes |
| moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001067000 |
| fourBlockPackageName | PG-TDSON-8-6 | rohsCompliant | yes |
| opn | BSC066N06NSATMA1 | completelyPbFree | no |
| sapMatnrSali | SP001067000 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC066N06NSATMA1 is a power MOSFET chip manufactured by Infineon Technologies. It is designed to handle high power applications and is widely used in various electronic devices, including power supplies, motor drives, and automotive systems. The chip features a low on-resistance and high switching speed, making it efficient in power management systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the BSC066N06NSATMA1 chip are BSC066N06NS3G, BSC066N06NSC, and BSC066N06NS5. -
Features
The BSC066N06NSATMA1 is a power MOSFET transistor featuring a low on-resistance (6.6 mΩ) and a high current capability (100 A). It is designed with a small footprint and low gate charge to optimize performance in space-constrained applications. The device also offers a high breakdown voltage (60 V) and excellent thermal properties for improved energy efficiency and reliability. -
Pinout
The BSC066N06NSATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. The functions of each pin are as follows: Gate (G) controls the MOSFET’s switch, Drain (D) is where the current flows in/out, Source (S) connects to ground. There are additional pins for thermal and gate driving purposes. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSC066N06NSATMA1. It is a leading semiconductor company based in Germany that provides various solutions for power electronics, automotive, industrial, and digital sectors. -
Application Field
The BSC066N06NSATMA1 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including automotive systems, power managers, and motor control. It offers a low on-resistance and high switching performance, making it suitable for high current applications that require efficient power delivery and management. -
Package
The BSC066N06NSATMA1 chip comes in a package type called "D²PAK (TO-263)" with a form known as "SMD/SMT." Its dimensions are approximately 10.44mm x 12.52mm x 4.6mm.
Datenblatt PDF
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