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Infineon BSC070N10NS3GATMA1

100V N-channel MOSFET designed for automotive environments, capable of handling up to 90A of current

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC070N10NS3GATMA1

Datenblatt: BSC070N10NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3614 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC070N10NS3GATMA1 Allgemeine Beschreibung

BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) from Infineon Technologies. It is part of the OptiMOSTM 3 family of power transistors designed for high efficiency and power density applications. This MOSFET has a maximum drain-source voltage (VDS) of 100 volts and a continuous drain current (ID) of 70 amps, making it suitable for use in a wide range of power electronics applications. It has a low on-state resistance (RDS(on)) of 0.007 ohms, which helps to minimize power losses and improve system efficiency.The BSC070N10NS3GATMA1 features an advanced OptiMOSTM 3 technology, which offers low switching losses and high switching frequencies, making it ideal for applications where high power density and efficiency are critical. Additionally, this MOSFET is designed for high temperature operation, with a maximum junction temperature of 175 degrees Celsius, ensuring reliable performance in challenging thermal environments.

bsc070n10ns3gatma1

Funktionen

  • MOSFET transistor
  • 700V drain-source voltage
  • 10A continuous drain current
  • 60mohm Rds(on) at Vgs=10V
  • Low gate charge
  • High ruggedness
  • Halogen-free
  • RoHS compliant

Anwendung

  • Switched-mode power supplies
  • Motor control applications
  • DC/DC converters
  • Inverter and UPS systems
  • Industrial automation
  • Robotics
  • Renewable energy systems
  • Electric vehicle charging systems
  • LED lighting
  • Audio amplifiers

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo MS; RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 5x6 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr P31 productClassification COM
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP000778082
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-1 rohsCompliant yes
opn BSC070N10NS3GATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP000778082

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for efficient power management and control in various applications. It features a low on-resistance and high switching performance, making it suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics. With its advanced technology and compact design, this chip offers improved power efficiency and reliability.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the BSC070N10NS3GATMA1 chip may include the BSC077N10NS3G, BSC078N10NS3G, and BSC079N10NS3G. These chips have similar specifications and can potentially be used as replacements or alternatives.
  • Features

    The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET with a drain-source voltage of 100V, maximum drain current of 70A, and low on-resistance. It offers high energy efficiency and reliable performance for various industrial applications.
  • Pinout

    The BSC070N10NS3GATMA1 is a MOSFET transistor with a pin count of 8. Its function is to provide power switching capabilities with a low on-resistance of 7 mΩ.
  • Manufacturer

    Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC070N10NS3GATMA1. It is a German semiconductor company specializing in various electronic solutions, including power semiconductors, sensor systems, and automotive electronics.
  • Application Field

    The BSC070N10NS3GATMA1 is a power MOSFET that can be used in various application areas such as power supplies, motor drives, and other high-current switching applications. It offers low on-state resistance and high switching performance, making it suitable for demanding industrial and automotive applications.
  • Package

    The BSC070N10NS3GATMA1 chip is a MOSFET power transistor. It comes in a D2PAK package type, also known as TO-263-3, which has three pins. The approximate dimensions of the package are 10.16mm x 9.20mm x 4.57mm.

Datenblatt PDF

Vorläufige Spezifikation BSC070N10NS3GATMA1 PDF Herunterladen

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