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$5000Infineon BSC098N10NS5ATMA1
OptiMOS 5 MOSFET power transistor rated for 100V
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC098N10NS5ATMA1
Datenblatt: BSC098N10NS5ATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 2.852 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC098N10NS5ATMA1 Allgemeine Beschreibung
With a strong focus on automotive systems like power distribution, motor control, and battery management, the BSC098N10NS5ATMA1 adheres to strict automotive quality regulations, ensuring its suitability for operation in challenging environments characterized by high temperatures and vibrations. In addition to its robust design, this MOSFET comes equipped with a host of protective features such as overcurrent safeguarding and thermal shutdown mechanisms, elevating the reliability and safety standards of automotive systems
Funktionen
- Halogen-free and RoHS compliant
- N-channel MOSFET with high-gain amp
- Low-input capacitance for filtering use
- High-voltage drain-source voltage rating
- Fast switching frequency support
- Suitable for DC-DC converter use
- Hybrid electric vehicles
- DC bus voltage converters
- Solar power inverters
Anwendung
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Y | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | PG-TDSON-8 |
Number of Channels: | 1 Channel | Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.8 mOhms | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | 10 V | Qg - Gate Charge: | 22 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 69 W | Configuration: | Single |
Channel Mode: | Enhancement | Tradename: | OptiMOS |
Packaging: | Reel | Height: | 1.27 mm |
Length: | 5.9 mm | Series: | OptiMOS 5 |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Width: | 5.15 mm |
Brand: | Infineon Technologies | Forward Transconductance - Min: | 28 S |
Fall Time: | 4 ns | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 5 ns | Factory Pack Quantity: | 5000 |
Subcategory: | MOSFETs | Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns | Part # Aliases: | BSC098N10NS5 SP001241598 |
Unit Weight: | 0.005503 oz | Tags | BSC098N10NS5A, BSC098, BSC09, BSC0, BSC |
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
Versand
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---|---|---|---|
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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