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Infineon BSC190N15NS3GATMA1

Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS Power Mosfet TDSON-8

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Infineon

Herstellerteil #: BSC190N15NS3GATMA1

Datenblatt: BSC190N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)

Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8

Produktart: Transistoren

RoHS-Status:

Lagerzustand: 3206 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSC190N15NS3GATMA1 Allgemeine Beschreibung

BSC190N15NS3GATMA1 is a Silicon Carbide Schottky Diode offering high switching speed and low forward voltage drop characteristics. It operates at a voltage rating of 1500V and has a continuous forward current rating of 19A. This diode is packaged in a TO-247-3 package, which allows for easy mounting and efficient heat dissipation.The BSC190N15NS3GATMA1 diode is designed for use in high-power applications such as power supplies, solar inverters, and motor drives where high efficiency and reliability are crucial. It exhibits excellent temperature stability and low reverse recovery current, making it ideal for high-frequency applications.With its low leakage current and high surge capability, the BSC190N15NS3GATMA1 diode is suited for demanding environments where robust performance is needed. Its Schottky barrier design also ensures minimal switching losses and high efficiency, making it a popular choice for applications requiring high power density.

bsc190n15ns3gatma1

Funktionen

  • IGBT transistor module
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1500V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 190A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 190A
  • Power - Max: 1160W
  • Mounting Type: Chassis Mount
bsc190n15ns3gatma1

Anwendung

  • Electric vehicle powertrain
  • Solar energy inverters
  • Industrial motor drives
  • Wind power systems
  • Uninterruptible power supplies
  • Switched-mode power supplies
  • Electric vehicle charging systems
  • Energy storage systems
  • High-power DC-DC converters
  • Renewable energy systems

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
functionalPacking TAPE & REEL addProductInfo MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing SuperSO8 5x6 msl 1
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr I54 productClassification COM
productStatusInfo active hfgr A
packageName PG-TDSON-8 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY orderingCode SP000416636
fourBlockPackageName PG-TDSON-8-1 rohsCompliant yes
opn BSC190N15NS3GATMA1 completelyPbFree no
sapMatnrSali SP000416636

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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

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  • Verpackungskartons

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  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor chip designed for high-power applications in automotive and industrial settings. It features a low on-resistance and high current-carrying capability, making it suitable for various power switching and control purposes. This chip offers reliable performance and efficient power handling in demanding environments.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC190N15NS3GATMA1 chip are IRFP064NPBF, STP26NM60N, IXFN34N60, and IPP60R130CFD. These chips are also power MOSFET transistors that can be used as alternatives to the BSC190N15NS3GATMA1 in various applications.
  • Features

    BSC190N15NS3GATMA1 is a 1500V SiC diode with low leakage current, low forward voltage, and fast switching speed. It has a high surge current capability and excellent thermal performance. The device is suitable for use in high temperature and high power applications such as power supplies, solar inverters, and electric vehicles.
  • Pinout

    The BSC190N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a TO-263-3 package. It has a pin count of 3, with one pin for the source (S), one pin for the gate (G), and one pin for the drain (D). The function of this MOSFET is to control the flow of current between the drain and source terminals.
  • Manufacturer

    The BSC190N15NS3GATMA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and sensor solutions for automotive, industrial, and consumer electronics applications. They are known for their innovative products and technologies in areas such as power management, automotive electronics, and renewable energy.
  • Application Field

    The BSC190N15NS3GATMA1 is a power MOSFET transistor suitable for use in applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its high current handling capabilities and low on-resistance make it ideal for applications requiring high efficiency and power.
  • Package

    The BSC190N15NS3GATMA1 is a Power-SO8 package with a size of 5mm x 6mm. It is a single N-channel MOSFET chip with a voltage rating of 150V and a current rating of 190A.

Datenblatt PDF

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