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$5000Infineon BSC360N15NS3GATMA1
Single N-Channel Power Mosfet with OptiMOS™ Technology
Marken: Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #: BSC360N15NS3GATMA1
Datenblatt: BSC360N15NS3GATMA1 Datasheet (PDF)
Paket/Gehäuse: PG-TDSON-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 3.410 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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BSC360N15NS3GATMA1 Allgemeine Beschreibung
The BSC360N15NS3GATMA1 is a MOSFET transistor with a N Channel and a maximum continuous drain current of 33A. With a drain source voltage of 150V, this transistor has an on-resistance of 0.031ohm when tested at a gate-source voltage of 10V. The threshold voltage required for this MOSFET to turn on is 3V
Funktionen
- Fine pitch surface mount package
- Low input capacitance and leakage current
- High speed switching with reduced ringing
- Thermal shutdown protection for safe operation
- Economical and reliable MOSFET solution
- Silicon-based material for improved performance
Anwendung
- Compact power supplies
- Integrated solar systems
- Fast EV charging stations
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Series | OptiMOS™ |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 75 V | Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-1 | Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Base Product Number | BSC360 |
Versand
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|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The BSC360N15NS3GATMA1 is a high-power MOSFET chip designed for various industrial applications. It features a low ON-resistance, high breakdown voltage, and a compact size, making it an ideal choice for power management in systems requiring high efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of BSC360N15NS3GATMA1 chip are Infineon IPP360N15N3G and Toshiba TK18A60V. These chips are all N-channel power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The BSC360N15NS3GATMA1 is a power transistor module with a voltage rating of 1500V and a current rating of 360A. It features low static losses, high current capability, and excellent thermal performance. It is suitable for high-power applications such as industrial drives, UPS systems, and renewable energy converters. -
Pinout
BSC360N15NS3GATMA1 is a MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are: pin 1 (drain), pin 2 (source), and pin 3 (gate). It is a 150V N-channel power MOSFET with a maximum continuous drain current of 85A. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of BSC360N15NS3GATMA1. It is a German semiconductor company specializing in power and sensor systems. Infineon produces a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
BSC360N15NS3GATMA1 is a semiconductor component commonly used in power management applications such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control systems. It is also employed in industrial equipment, automotive electronics, and consumer electronics where precise voltage regulation and current control are required. -
Package
The BSC360N15NS3GATMA1 chip is a PowerTrench® MOSFET in a D2PAK package. It has a form of Surface Mount and a size of 10.7 mm x 9.5 mm x 4.5 mm.
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